SK하이닉스에서 3D 낸드를 이어 4D 낸드를 이야기하였다.
현재의 3D 낸드와 달리 SK하이닉스가 이야기한 4D 낸드는 CFT(Charge Trap Flash) 셀을 Peri 위에 올려 면적과 비용을 줄이는 것이 핵심이다. 1세대 4D 낸드는 96단 구성에 I/O 1.2Gbps 속도 및 1Tb 용량을 구현하여, VGA 패키징시 최대 2TB, U.2 eSSD는 최대 64TB 구현이 가능해진다.
72단 3D TLC 낸드와 비교시 SK하이닉스가 발표한 V5(96단) 4D 낸드는 최대 30% 더 높은 성능과 150% 더 높은 전력 효율을 발휘, 칩 사이즈는 30% 감소, 생산성은 20% 증가하는 것으로 소개하였으며, 512Gb 모델은 2018년 4분기, 1Tb 모델은 2019년 상반기 샘플링이 예정되어 있다.
SK하이닉스는 TLC외에도 QLC 기반의 1Tb 용량의 96단 4D 낸드도 계획 중으로 샘플은 2019년 하반기 선보이고, 4D 낸드 기반의 NVMe SSD PE6000 시리즈의 샘플링을 2018년 4분기로 예정으로, 이후 128단의 4D V6에 이어 5xx 단 이상까지 개발을 이어가, 2025년에는 원칩 8TB 구현이 가능할 것으로 기대를 나타냈다.
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[뉴스] 3분기 DRAM 최대 45%, 낸드 제품 최대 10% 가격 인상 전망 
