삼성전자가 차세대 3나노 및 2나노 공정을 소개한 '삼성 파운드리 포럼 2021'을 온라인으로 개최했다.
역대 파운드리 포럼 중 가장 많은 500개사, 2천 명 이상의 팹리스 고객과 파트너들이 사전 등록해 높은 관심을 모은 이번 포럼에서 삼성전자는 GAA 기술 기반 3나노 및 2나노 공정 양산 계획과 17나노 신공정 개발 등을 소개하고, 공정기술∙ 라인운영∙ 파운드리 서비스를 한 차원 더 발전시켜, 빠르게 성장하는 파운드리 시장에서 경쟁력을 강화하겠다고 밝혔다.
삼성전자는 전력 효율, 성능, 설계 유연성을 가지고 있어 공정 미세화를 지속하는데 필수적인 GAA 기술을 내년 상반기 3나노 공정에 도입하고, 2023년에는 3나노 2세대, 그리고 2025년에는 2나노 공정 양산을 통해 차세대 트랜지스터 기술을 선점하겠다고 설명했다.
특히, 삼성전자의 독자적인 GAA 기술인 MBCFET(Multi Bridge Channel FET) 구조를 적용한 3나노 공정이 핀펫(FinFET) 기반 5나노 공정 대비 성능은 30% 향상되며 전력소모는 50%, 면적은 35% 감소될 것으로 예상했다.
또한 3나노 공정의 경우 안정적인 생산 수율을 확보하며 양산을 위한 준비가 이뤄지고 있다고 밝혀, 차세대 모바일 프로세서 및 파운드리 사업을 위한 3나노 공정에 차질이 없다는 입장을 내비쳤다.
삼성전자는 비용적인 측면에서의 효율성과 응용 분야별 경쟁력을 갖춘 제품을 제공하기 위해 핀펫 기술을 지속적으로 개선하고 있다면서, 이번 포럼에서 핀펫 기반 17나노 신공정도 발표했다.
17나노 공정은 28나노 공정 대비 성능은 39%, 전력효율은 49% 향상되며 면적은 43%가 감소될 것으로 기대된다.
특히, 평면 트랜지스터 기반의 28나노 이상 공정을 주로 활용하는 이미지센서, 모바일 디스플레이 드라이버 IC 등의 제품에도 17나노 신공정을 적용할 수 있어 다양한 응용처로의 확대 가능성도 선보였다.
또한, 삼성전자는 기존 14나노 공정을 3.3V 고전압, eMRAM 지원 등 MCU(Micro Controller Unit)에 적용할 수 있는 다양한 옵션을 개발해 IoT, 웨어러블 기기 등 핀펫 공정의 응용처 다변화를 지원하며, 8나노 RF(Radio Frequency) 플랫폼의 경우 5G 반도체 시장에서 6GHz 이하 mmWave 제품에서의 리더십을 확보한다는 계획이다.
한편, 삼성전자는 파운드리 고객과 파트너사의 생태계 강화를 위한 세이프 포럼(SAFE, Samsung Advanced Foundry Ecosystem)을 11월 온라인으로 개최할 예정이다.
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