올해 2월, 인텔이 소프트뱅크의 자화사인 사이메모리와 HBM을 대체할 차세대 AI 메모리 기술인 ZAM(Z-Angle Memory) 개발을 위해 협력한다는 내용이 발표된 바 있는데, 해당 제품과 관련한 자세한 내용이 6월 공개될 공개될 예정이다.
해당 내용은 VLSI 2026 페이퍼를 통해 예고된 것으로, 이에 따르면 ZAM의 제품명은 ‘HB3DM(High Bandwidth 3D Memory)’이며, 기존 HBM처럼 적층 구조를 사용하지만 데이터 연결 방식과 구조를 개선해 더 높은 대역폭과 효율을 목표로 하는 것이 특징이다.
초기 발표된 내용에 따르면 ZAM은 HBM 대비 전력 소비 40~50% 감소를 목표로하며, 칩당 최대 512GB 수준의 저장 용량, 초기 설계 기준 HBM4의 스택당 약 2TB/s 대비 2배 이상 높은 최대 5.3TB/s 수준의 대역폭을 구현했다.
단지, 용량 면에서는 현재 10GB 수준이라 스택당 최대 48GB 구현이 가능한 HBM4의 20% 수준에 불과한데, 이러한 접근은 AI 연산에서의 병목이 용량보다 대역폭에서 발생하는 상황을 반영한 것으로 풀이된다. 즉, 데이터 이동 속도를 극대화해 GPU나 가속기의 활용 효율을 끌어올리는 방향이다.
ZAM 기술 기반의 HB3DM의 상용화 일정이나 생산 방식은 확정되지 않은 상태로, 실제 양산 가능성과 수율, 비용 구조가 핵심 변수로 지적된다.
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