소니(SONY)가 세계 최초 2층 트랜지스터 화소(2-Layer Transistor Pixel) 적층형 CMOS 이미지 센서를 개발했다.
소니 세미컨덕터 솔루션즈 주식회사는 16일 보도자료를 통해 세계 최초로 2층 트랜지스터 화소 적층형 CMOS 이미지 센서 기술(Stacked CMOS Image Sensor Technology)의 개발에 성공했다고 밝혔다.
소니에 따르면 기존의 적층형 CMOS 이미지 센서는 신호 처리 회로가 형성된 로직 칩 위에 이면조사형 픽셀로 구성된 픽셀 칩이 적층된 구조로 되어 있지만, 픽셀 칩에는 빛을 전기 신호로 변환하는 포토 다이오드와 신호를 제어하기 위한 픽셀 트랜지스터가 같은 층에 나란히 배치되어 한정된 영역에서 포화 신호량을 얼마나 크게 하는지가 다이내믹 레인지와 넓은 고화질 촬영을 실현하기 위해 중요한 요소였다.
2층 트랜지스터 화소 적층형 CMOS 이미지 센서 기술은 소니의 독점 적층 기술을 이용해 기존에는 같은 기판에서 형성하고 있던 포토 다이오드와 픽셀 트랜지스터를 별도의 기판으로 형성해 패키징하는 것으로, 이를 통해 각각의 층을 최적화한 구조의 채용이 가능해지고 기존 대비 약 2배의 포화 신호량을 실현해 다이내믹 레인지 확대에 기여하게 된다.
또한 전송 게이트(TRG) 외에 리셋 트랜지스터(RST), 셀렉트 트랜지스터(SEL), 앰프 트랜지스터(AMP) 등의 픽셀 트랜지스터를 포토 다이오드가 없는 다른 층에 형성함으로써 앰프 트랜지스터 크기를 확대할 수 있어 저조도 환경에서 발생하기 쉬운 노이즈를 대폭 저감시켜준다.
소니는 이번 2층 트랜지스터 화소 적층형 CMOS 이미지 센서가 스마트폰 촬영 등을 한층 더 고화질로 실현할 수 있을 거라고 언급했다.
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