ÆÄ¿öÅ¥ºê¼¼¹ÌÀÇ ´ë¿ë·® ½´ÆÛÁ¤¼Ç ¸ð½ºÆê Á¦Ç°ÀÌ Áß±¹ ±Û·Î¹ú Àü±â ÀÚµ¿Â÷ ȸ»çÀÇ ³»Àå¿ë ¿Ï¼Ó ÃæÀü±â¿¡ Àû¿ëµÇ¾î ÆÇ¸ÅµÇ°í ÀÖ´Ù.
ÆÄ¿öÅ¥ºê¼¼¹Ì´Â ÃÖ±Ù °¢±¤¹Þ°í ÀÖ´Â Àü±â ÀÚµ¿Â÷ÀÇ ÃæÀü±â ½ÃÀå¿¡ ÁøÀÔÇϱâ À§ÇØ ±âÁ¸ °³¹ßµÈ ´ë¿ë·® ½´ÆÛÁ¤¼Ç ¸ð½ºÆê Á¦Ç°À» Àü±â ÀÚµ¿Â÷ ÃæÀü±â¿¡ ¸Â°Ô °³¼±ÇÏ¿© ½ÃÀå ÁøÃâ¿¡ ¼º°øÇÏ¿´À¸¸ç, 2021³â ¸»ºÎÅÍ Á¦Ç°À» ¼öÃâ, ¿ÃÇØ ¸»±îÁö ´©Àû 200¸¸°³ ¼öÃâ °¡´É¼ºÀ» Àü¸ÁÇß´Ù.
¶ÇÇÑ 1200V±Þ ½Ç¸®ÄÜÄ«¹ÙÀÌµå ¸ð½ºÆê(SiC MOSFET) Á¦Ç°À» Àü±â ÀÚµ¿Â÷ ½ÃÀå¿¡ ÁøÃâÇϱâ À§ÇØ °³¹ßÇÏ¿´À¸¸ç, Àü±âÂ÷ ÃæÀü±â ½ÃÀå ¹× Àü±âÂ÷ ¸ðÅÍ ±¸µ¿ ½ÃÀå¿¡ ÁøÀÔÇϱâ À§ÇØ ÃÖÁ¾ Á¦Ç° Æò°¡ Áß¿¡ ÀÖ´Ù.
2013³â Fabless ¾÷ü·Î ½ÃÀÛÇÑ ÆÄ¿öÅ¥ºê¼¼¹Ì´Â ½Ç¸®ÄÜ(Si) ¹× ½Ç¸®ÄÜÄ«¹ÙÀ̵å(SiC) ¼ÒÀÚ¸¦ °³¹ßÇϰí Á¦Ç°È ÇÏ¿© ÆÇ¸ÅÇϰí ÀÖÀ¸¸ç, ÃÖ±Ù »êȰ¥·ý(Ga2O3) Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ºÐ¾ßÀÇ ¼±µÎÁÖÀÚ°¡ µÇ±â À§ÇØ »êȰ¥·ý(Ga2O3) Àü¿ë FabÀ» ±¸ÃàÇÏ¿© ±¹³» Â÷¼¼´ë ÈÇÕ¹° Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ °³¹ßÀ» ÁÖµµÇϰí ÀÖ´Ù.
|