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전송 2022-11-29 11:22
[뉴스]

적은 크기로 두 배 용량과 성능구현, 삼성 GDDR6W 메모리 발표

삼성전자에서 현재 GDDR6 메모리 대비 더 적은 크기로 성능과 용량을 두 배 높인 GDDR6W 메모리 개발을 발표했다.


GDDR6W는 삼성전자가 최근 발표한 GDDR6(x32) 기술과 차세대 패키지 기술인 Fan-Out Wafer level Package(FOWLP) 기술을 접목한 기술로, 동일한 크기의 패키지 안에 2배의 메모리 칩을 탑재해 GPU 변경없이 그래픽 D램 용량을 16Gb에서 32Gb, 대역폭을 IO 개수 x32에서 x64로 2배 높인 그래픽 카드와 노트북 등을 개발할 수 있다. 다른 관점에서 본다면 메모리 점유 면적을 기존 대비 50% 감소시켜 소형 기기 개발에 힘을 실어줄 수 있다.

GDDR6W에 적용된 FOWLP 기술은 메모리 칩 다이를 PCB가 아닌 실리콘 웨이퍼에 직접 실장하는 기술로, RDL(Re-distribution Layer, 재배선) 기술을 적용하여 배선의 패턴을 미세화 할 수 있어 높은 성능 구현과 함께 PCB를 사용하지 않아 패키지의 두께 감소 및 방열 기능도 향상을 기대할 수 있다.


삼성전자에 따르면 FOWLP 기술을 활용한 GDDR6W 패키지는 높이 0.7mm로, 기존 GDDR6 패키지의 1.1mm 대비 약 36% 두께를 줄일 수 있고, 더 많은 칩을 적층하고도 기존 GDDR6 대비 열 특성과 성능을 동일한 수준으로 구현했다. 또한 단일 패키지당 I/O를 확장시켜 GDDR6 대비 대역폭을 2배로 향상시킬 수 있다.

삼성전자는 GDDR6W 기술을 통해 시스템 레벨에서 HBM 수준의 대역폭 지원이 가능해졌다고 설명했는데, HBM2E는 시스템 레벨 I/O 4K개, 핀당 전송 속도 3.2Gpbs 기준으로 1.6TB/s 대역폭을 제공하며, GDDR6W는 시스템 레벨 I/O 512개, 핀당 전송속도 22Gpbs 기준으로 1.4TB/s의 대역폭을 구현해낸다.


뿐만 아니라 GDDR6W는 HBM2E를 사용하는 것 대비 I/O 개수가 약 8분의 1 수준으로 감소하기 때문에, HBM 구현에 필수적인 마이크로 범프(bump)가 필요치 않아 인터포저(Interposer) 층을 사용하지 않아도 되기에, 비용면에서도 유리하다.

삼성전자는 GDDR6W 제품에 대해 올해 2분기 JEDEC 표준화를 완료하여 사업화 기반을 확보하였으며, 향후 GPU 업체들과의 협력을 통해 AI, HPC 어플리케이션에 활용되는 신규 고성능 가속기는 물론 notebook 등의 small form factor 기기로도 GDDR6W의 응용처를 확대한다는 방침이다.

  태그(Tag)  : 삼성전자, DRAM
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  이상호 기자 / 필명 이오니카 / 이오니카님에게 문의하기 ghostlee@bodnara.co.kr
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