인텔은 오늘 국제전자소자학회(IEDM) 2022에서 2030년까지 단일 패키지에 1조개의 트랜지스터를 탑재하는 등 무어의 법칙을 지속하기 위한 주요 연구 성과를 발표했다.
인텔은 집적도 10배 달성에 기여할 3D 패키징 기술, 리본펫(RibbonFET)을 뛰어넘는 2D 트랜지스터를 위한 원자 3개 두께의 초박형 신규 물질, 더 높은 성능의 컴퓨팅을 위한 에너지 효율성 및 메모리 부문 성과, 양자 컴퓨팅 개선 사례 등을 발표했다.
지속적인 혁신은 무어의 법칙의 초석이다. 인텔 부품 연구 그룹(Intel Components Research Group)은 지난 20년 동안 개인용 컴퓨터, 그래픽 프로세서 및 데이터 센터에서 스트레인드 실리콘, 하이케이 메탈게이트, 핀펫(FinFET) 등 지속적으로 전력, 성능, 비용 부문 개선을 위한 혁신을 주도해왔다. 현재 인텔 부품 연구 그룹은 게이트올어라운드(GAA) 트랜지스터를 적용한 리본펫(RibbonFET), 후면 전력 제공 기술인 파워비아(PowerVia)와 EMIB 및 포베로스 다이렉트(Foveros Direct) 등 혁신 패키징 기술을 개발중이다.
인텔 부품 연구 그룹은 올해 IEDM 2022에서 무어의 법칙을 이어가기 위해 칩렛을 매끄럽게 통합하기 위한 새로운 3D 하이브리드 본딩 패키징 기술, 단일 칩에 더 많은 트랜지스터를 집적하기 위한 초박형 2D 물질, 더 높은 컴퓨팅 성능을 위한 에너지 효율성 및 메모리 등 세 가지 영역에서 혁신을 달성할 것이라고 밝혔다.
인텔 부품 연구 그룹은 패키징과 실리콘의 경계를 모호하게 하는 새로운 물질과 공정을 탐색해왔다. 또한, 무어의 법칙을 지속해 하나의 칩에 1조 개의 트랜지스터를 집적하며 10배 높은 상호연결 집적도로 준-모놀리식(quasi-monolithic) 칩을 선도할 고급 패키징 기술의 미래를 제시했다. 더불어, 원자 3개 두께의 초박형 신규 물질을 사용하는 실용적인 설계를 바탕으로 리본펫 이후 무어의 법칙을 지속할 방법을 제시했다.
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