SK하이닉스가 현존 최고 용량인 24GB(기가바이트) HBM3 신제품을 발표했다.
세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직 적층해 24GB 용량을 구현한 HBM3 신제품은 어드밴스드(Advanced) MR-MUF와 TSV 기술을 적용했다.
MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올릴 때 칩과 칩 사이의 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정으로 필름형 소재를 깔아주는 방식 대비 공정이 효율적이고 열 방출에도 효과적이며, TSV 기술은 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구조를 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 고급 패키징 기술이다.
어드밴스드 MR-MUF 기술을 통해 공정 효율성과 제품 성능 안정화를 강화했고, TSV 기술을 활용해 기존 대비 40% 얇은 D램 단품 칩 12개를 수직으로 쌓아 16GB 제품과 같은 높이로 24GB 제품을 구현할 수 있었다는 것이 SK하이닉스의 설명이다.
SK하이닉스는 작년 6월 세계 최초로 HBM3를 양산한 데 이어 이번에 기존 대비 용량이 50% 높은 24GB 패키지 제품을 개발하는데 성공했다며, 최근 AI 챗봇 산업이 확대되면서 늘어나고 있는 프리미엄 메모리 수요에 맞춰 하반기부터 시장에 신제품을 공급할 수 있을 것이라고 밝혔다.
SK하이닉스의 HBM3 24GB 신제품은 현재 다수의 글로벌 고객사에 샘플을 제공해 성능 검증을 진행 중인 것으로 알려졌다.
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