삼성전자가 업계 최초 '1Tb(테라비트) TLC 9세대 V낸드' 양산을 시작했다고 밝혔다.
양산에 들어간 신제품은 ▲업계 최소 크기 셀(Cell) ▲최소 몰드(Mold) 두께를 구현해 ‘1Tb TLC 9세대 V낸드’의 비트 밀도(Bit Density)를 이전 세대 대비 약 1.5배 증가시켰다.
삼성전자는 9세대 V낸드에 동작을 수행하지 않는 더미 채널 홀(Dummy Channel Hole)제거 기술로 셀의 평면적을 줄였으며, 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용해 제품 품질과 신뢰성을 높였다고 설명했다.
더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로, 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한 번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 '채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)' 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신을 이뤄 생산성 또한 향상됐다.
9세대 V낸드는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 Toggle 5.1이 적용되어 기존 8세대 V낸드 대비 35% 향상된 최대 3.2Gbps의 데이터 입출력 속도를 구현했으며, 삼성전자는 이를 기반으로 PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대해 낸드플래시 기술 리더십을 공고히 할 계획이다.
또한 9세대 V낸드는 저전력 설계 기술을 탑재하여 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐다.
한편, 삼성전자는 이번 1Tb TLC 9세대 낸드 양산에 이어 올해 하반기에는 QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드도 양산할 예정이라고 덧붙였다.
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