AMD Zen6 라이젠의 제조공정에 대한 소식이 나왔다.
칩헬 포럼을 통해 나온 소식에 따르면 Zen6 CCD는 TSMC N3E 공정이, I/O 다이 제작에는 TSMC N4C 공정이 사용될 예정이다.
TSMC N3E 공정은 TSMC N5 공정에 비해 속도 20%, 전력 30%, 밀도 60% 개선이 이야기되고 있으며, 현재 Zen5 CCD 생산에 이용중인 TSMC N4P 공정은 N5 공정에 비해 클록과 밀도가 소폭 증가한데 그친 것으로 알려져 있다. 이에 따라 Zen6 코어에 TSMC N3E 공정이 적용된다면 상당한 전력 효율이나 성능 개선을 기대할 수 있다.
이번 소식에서 주목할 점은 I/O 다이에 TSMC N4C 공정이 적용된다는 내용으로, 이를 통해 업그레이드된 아키텍처의 iGPU 코어, 메모리 컨트롤러 개선, 현재 X870(E) 칩셋에서 별도 컨트롤러 추가를 통해 구현 중인 USB 4.0을 I/O 다이에서 자체적으로 지원하는 내용도 기대해볼 수 있다.
|
[영상] 인텔의 26년 PC용 CPU 전략 변화의 상징이 될, 인텔 코어 Ultra 200S Plus 프로세서 [코잇] 
