인텔 파운드리가 2026 VLSI 심포지엄에서 차세대 공정 로드맵과 연구개발(R&D) 성과를 공개했다. 특히 인텔은 차세대 공정인 '인텔 18A-P'가 시험 생산(Risk Production) 단계에 진입했다고 밝혔다.
인텔 18A-P는 인텔 18A의 성능 향상 버전으로, 동일 전력에서 최대 9% 높은 성능을 제공하거나 동일 성능 기준 최대 18%의 전력 절감 효과를 제공한다. 또한 새로운 '파워 부스트(Power Boost)' 트랜지스터 옵션을 도입해 구동 전류와 동작 주파수를 향상시켰다.
이와 함께 열 저항을 20~40% 개선하고, 칩 내부 연결에 사용되는 비아(Via) 저항을 10~30% 낮춰 전력 효율과 성능을 높였다. 인텔은 저전력 및 고성능 트랜지스터 옵션을 추가하고, 새로운 전압 임계값(Vt) 옵션을 도입해 설계 유연성도 강화했다고 설명했다.
인텔 18A-P는 기존 인텔 18A와 설계 규칙이 완전히 호환돼 기존 IP와 설계 자산을 그대로 활용할 수 있는 것도 특징이다.
인텔은 지난해 인텔 18A를 통해 도입한 게이트올어라운드(GAA) 트랜지스터와 후면 전력 공급(BSPD) 기술의 성과도 공개했다. 회사에 따르면 해당 기술은 라우팅 면적을 11% 줄이고 전압 강하를 최대 10배 감소시켰으며, 이를 통해 최대 6%의 성능 향상 또는 15% 이상의 전력 절감 효과를 제공한다.
이 밖에도 인텔은 차세대 반도체 기술 연구 성과를 소개했다. 인텔은 GAA 이후 시대를 겨냥한 CFET(상보형 FET) 구조를 시연했으며, 질화갈륨(GaN) 전력 소자와 실리콘 로직을 하나의 웨이퍼에 통합하는 기술도 공개했다.
또한 구리 배선을 대체할 수 있는 루테늄 기반 인터커넥트 기술을 선보이며, 기생 정전용량을 최대 35% 줄여 배선 성능을 개선할 수 있다고 밝혔다.
인텔은 이번 발표를 통해 인텔 18A 계열 공정의 상용화 준비 상황과 함께 차세대 반도체 미세공정을 위한 장기 연구 성과를 공유했다.
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