삼성전자와 SK하이닉스가 한국 내 반도체 생산 능력 확대를 위한 대규모 투자 계획에 나선다.
알려진 내용에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 반도체 제조, AI 데이터센터, 메모리 생산 확대 등을 포함해 총 1,350조 원, 약 8,700억 달러 규모의 장기 투자를 통해 국내 반도체 생산 거점 확대를 추진한다.
삼성전자와 SK하이닉스는 정부 주도의 국가 프로젝트에 맞춰 한국 서남권에 각각 2개의 대형 반도체 팹을 건설할 계획이며, 이 프로젝트는 총 800조 원 규모의 반도체 생산 생태계 조성을 목표로 한다. 한국 정부는 이를 AI 산업 경쟁력 강화와 지역 성장 전략의 핵심 프로젝트로 제시했다.
삼성전자는 광주 지역에 신규 반도체 팹 건설을 위해 400조 원을 투자할 계획이며, 천안과 온양에는 56조 원을 들여 첨단 HBM 생산 시설을 구축할 예정이다. 또한 2026년부터 2040년까지 국내 미래 성장 사업 강화를 위해 총 2,450조 원을 투자하고, 이 중 2,100조 원은 평택과 용인 반도체 클러스터를 포함한 반도체 거점에 투입한다는 계획도 제시됐다.
SK그룹도 반도체와 AI 데이터센터 투자를 병행한다. SK그룹은 반도체 생산 확대에 약 1,100조 원, AI 데이터센터 프로젝트에 약 1,000조 원 규모의 장기 투자 계획을 갖고 있으며, SK하이닉스는 용인 반도체 클러스터의 네 번째 팹 완공 시점을 기존 2045년에서 2033년으로 12년 앞당길 계획이다. 여기에 기존 이천, 청주, 용인 생산 거점 외에도 서남권에 400조 원 규모의 신규 반도체 생산 기지를 조성할 예정이다.
이번 투자 계획은 단순한 설비 증설이 아니라 AI 시대의 메모리 주도권을 강화하기 위한 전략으로 해석된다. 단지, 메모리 가격 상승과 공급 부족이 이어지는 상황에서 대규모 투자는 장기적으로 공급 안정화에 기여할 수 있지만 수요 둔화 시점에는 공급 과잉 우려도 남는다. 그럼에도 HBM과 차세대 DRAM, NAND, AI 데이터센터를 둘러싼 경쟁이 본격화된 만큼, 한국 반도체 업계의 대규모 증설은 글로벌 메모리 시장의 흐름을 바꿀 주요 변수로 작용할지 지켜볼 일이다.
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