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- 기존 DDR 대비 2배 빠른 533/667 Mbps 데이터처리
- 0.12미크론 회로선폭, 512M 대용량
- 美 IBM社와 공동평가 Project 통해 성능검증 완료
- DDR-Ⅰ, DDR-Ⅱ, 램버스D램 "3大 고속메모리" 라인업 구축
차세대 메모리반도체로 집중 조명되고 있는 DDR-Ⅱ D램을 삼성전자가 세계 최초로 개발했다.
『DDR-Ⅱ』는 한번의 Clock 사이클 동안 데이터를 병렬로 처리함으로써 기존 DDR 제품보다
데이터처리 속도가 2배 이상 빠른 "2세대 DDR 메모리" 반도체이다.
삼성전자가 개발한 이번 제품은 1초에 한글 4천1백만字 분량을 처리할 수 있는 동작속도 533/667Mbps를 가진 512M 용량의 제품이다.
이번 개발의 의미는 '02년 3월 국제전기전자표준협회인 제덱(JEDEC)에서 차세대 고성능 메모리 제품의 규격으로 채택한 DDR-Ⅱ D램 규격을 완벽하게 지원하는 첫 제품이라는 점이다.
삼성전자는 이번 제품에 ▲1.8V 저전력 동작 ▲0.12미크론 초미세공정 ▲FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array) 패키지 ▲OCD(Off Chip Driver calibration) ▲ODT(On Die ermination)
▲Posted CAS 등 초고속 동작을 위한 각종 新기술을 적용했으며, 총 47件의 신기술 특허 출원을 진행하고 있는데, 이미 8건에 대해서는 美國 특허를 획득했다.
'01년 3월에 이미 128Mb DDR-Ⅱ D램 제품개발을 완료한 삼성전자는美 IBM社와 제품 성능테스트 프로젝트를 진행해 왔으며, '02년 4월 시스템 레벨(System Level)에서 제품이 완벽하게 동작하는 것을 확인했다.
IBM社 메모리 인증 Manager인 Gary Tressler은 "삼성전자의 DDR-Ⅱ D램은 향후 IBM에서 개발할 고성능 시스템을 완벽하게 지원하게 될 것으로 예상된다" 고 말했다.
삼성전자의 메모리 상품기획팀 팀장인 강준 전무는 "이번 DDR-Ⅱ 제품의 조기개발을 통해
고성능 제품의 공급을 요구하는 고객에게 적기에 제품을 공급할 수 있게 되었다"고 말하고, "DDR-Ⅱ 제품의 개발 성공으로 삼성전자는 DDR-Ⅰ, 램버스, DDR-Ⅱ에 이르는 3大 차세대 고속 D램 제품의 포트폴리오를 가장 먼저 확보함으로써 차세대 고성능 D램 시장의 주도권을 더욱 강화할 수 있게 됐다."고 말했다.
DDR D램은 Double Data Rate D램의 약자로, 1번의 동기 신호에 1번만 동작(입력/출력)하는
기존 SD램과 달리 2번 동작하는 D램 반도체이며, 삼성전자의 제안에 의해 '98년 3월에 제덱에서 정식 국제규격으로 채택됐다.
삼성전자는 향후 PC용 메인메모리 시장이 범용 PC는 DDR D램, 보급형 PC는 SD램, 고성능 PC에서는 램버스 D램으로 세분화가 진행될 것으로 예측하고 있다.
삼성전자는 512Mb DDR-Ⅱ를 연말부터 양산할 계획이며, DDR의 생산비중도 연말까지 50%이상으로 확대해 고성능 D램 시장을 주도해 나갈 계획이다.
반도체 전문 조사기관인 데이터퀘스트는 D램 시장은 '02년 211억불에서 '04년에는 411억불로 급성장할 것이며, DDR이 올해는 전체 D램 시장의 40%를 차지하고 '03년에는 66%로 증가할 것으로 예측되고 있다.
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