INTEL은 현재의 CMOS-transistors에 비해 60%나 큰 수용능력을 가질수 있는 High-K Metal gate
transistor 를 개발하는데 성공했다고 한다.
transistor gate는 대부분 silicumdioxyde 레이어의 외부에 존재하며 중간에 절연물질에 의해 연결되는데 최근
트랜지스터가 계속 작아지게 되어 이 절연부분의 레이어가 너무나 작아졌다고 한다.
그리고 그로인해 전력누수가 상당해 지게 되어 이 유출된 전력이 해당 반도체의 발열을 일으키게된다고 하는데 High-K Metal
gate transistor의 개발로 현재의 CMOS-transistors에 비해 큰 수용능력을 가질수 있어 보다 빠르게 스위칭이
가능하며 전력누수를 상당부분 줄여 발열을 최소화 하였다고 한다.
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