미
Intel은 24일(현지시간), 65 nm프로세스를 이용한 SRAM의 완전 동작품의 제조에 성공했다고 발표했다. 동사에서는 2005년에,
300mm wafer에서 65 nm반도체의 양산을 개시할 예정이라고 한다.
동사는 과거 15년간, 2년마다 제조 프로세스의 축소를 완수해 왔으나 이번은 90 nm의 SRAM 팁을 처음으로
제조하고나서 20개월만에 65 nm프로세스의 제조에 도달하여 4개월정도가 단축되었다고 한다.
이번 신기술로 게이트당 35 nm의 트랜지스터를 도입. 프로세스 룰의 축소로 1개의 wafer로부터 생산해낼수
있는 칩의 수가 증가되었으며 보다 큰 용량의 캐쉬를 내장할수 있게 되었다고 한다. 또, 제2 세대 Strained 실리콘의
채용과 8층의 구리 배선 그리고 저유전율(Low-k) 재료의 사용으로 트랜지스터 속도를 향상시켜 칩의 내부 속도의 향상과 소비 전력의
절감할수 있게 되었다고 한다.
65 nm반도체의 제조는, 미국 오리건주 Hillsboro에 있는 development fab「D1D」에서 진행된다고 한다.
출처 : Impress PcWatch
|
