인텔은 오늘, 에너지효율성 측면에서의 리더쉽을 더욱 강화하기 위해 개발한 신기술을 공개했다. 새로운 종류의 트랜지스터 관련 인텔의 연구 및 개발 활동은 트라이-게이트(3-D) 트랜지스터의 대량 생산이라는 결과를 낳았다. 인텔은 새로운 트랜지스터의 성능 및 에너지 효율성 강화로 트라이-게이트 기술이 45나노미터 공정 기술 노드를 뛰어넘는 마이크로프로세서의 기본 요소가 될 것으로 예상하고 있다.
트라이 게이트 트랜지스터는 오늘날의 평면 트랜지스터보다 상당히 적은 전력 누출과 전력 소모 기능을 제공하기 때문에 인텔 제품의 향후 에너지 효율성 측면에서 중요한 역할을 하게 될 것으로 보인다. 오늘날의 65나노미터 트랜지스터와 비교했을 때, 통합 트라이 게이트 트랜지스터는 45% 강화된 드라이브 전류(스위칭 스피드) 즉, 50배 감소된 오프 전류(off-current)와 35% 감소된 트랜지스터 스위칭 전력을 구현할 수 있다.
성능 강화와 에너지 소비 감소는 인텔 플랫폼을 사용하는 PC 및 기타 디바이스에 대한 사용자 경험을 더욱 향상시키게 된다.
인텔 컴포넌트 리서치(Component Research) 부문을 담당하는 마이크 메이베리(Mike Mayberry) 부사장은 “이는 또다른 발전에 대해 선도적인 접근 방식을 채택하는 인텔의 리더쉽을 잘 보여준다.”라며, “인텔은 기록적인 트랜지스터 성능을 구현을 위해 트라이-게이트 트랜지스터 구조, 하이-케이(high-k) 게이트 유전체, 스트레인드 실리콘(strained silicon) 기술 등 세가지 주요 요소를 성공적으로 통합했다. 이러한 결과들은 향후 10년 동안에도 무어의 법칙 적용을 지속할 수 있다는 강력한 확신을 가지게 해주었다.”라고 말했다.
인텔 공학자들은 6월 13일, 하와이, 호놀룰루에서 개최되는 2006 VLSI 테크놀로지 심포지엄에서 이 연구와 관련된 기술 보고서를 제출하게 된다.
|
