인텔(Intel)에서 누설 전류를 1/50로 줄여주는 트라이 게이트(Tri-Gate) 트랜지스터 기술 개발에 성공했다고 발표했다.
인텔은 6월 12일자로 보도자료를 통해 양산 가능한 3차원 구조의 트라이 게이트 트랜지스터 개발에 성공했으며, 이 트랜지스터는 동작 성능과 전력 효율 모두를 큰 폭으로 향상시켜 45nm 제조 공정 이후의 32nm, 22nm 마이크로 프로세서 제조에 이용될 것이라고 발표했다.
기존의 평면 구조 planing machine형 트랜지스터는 1950년대에 고안되어 반도체의 기본으로 사용되어 왔으나, 인텔은 트라이 게이트 트랜지스터를 통해 planing machine형 트랜지스터보다 누설 전류를 크게 줄여서 반도체 소비 전력을 큰 폭으로 줄일 수 있다고 언급했다. 현재의 65nm 공정의 트랜지스터와 비교하면 구동 전류(스위칭 속도)는 45% 향상, 누설 전류는 1/50로 감소하므로 트랜지스터의 스위칭 전력을 35% 줄일 수 있다고 한다.
인텔은 이번 성과로 무어의 법칙을 향후 10년에 걸쳐 연장시킬 수 있을 것이라고 주장했다.
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