삼성전자에서 40nm 공정의 32Gb 낸드 플래시 메모리를 개발했다고 발표했다.
삼성전자는 보도자료를 통해 업계 최초로 40nm 공정의 32Gb 낸드 플래시 메모리 제품을 개발했다고 발표했으며, 이 제품은 CTF(Change Trap Flash) 아키텍쳐를 사용하여 메모리 용량 증가 뿐만 아니라 성능까지 끌어올렸다고 한다.
CTF 기술을 사용해 삼성전자는 앞으로 Inter-Cell 노이즈 레벨을 개선하여 30nm 및 20nm 공정도 빠른 시일 내에 적용할 수 있게 될 것으로 예상했다.
32Gb(4GB) 낸드 플래시 메모리 칩을 사용해 CF 타입 플래시 메모리로 64GB의 대용량을 구현할 수 있게 되었으며, 이번 32Gb 낸드 플래시 메모리는 고용량의 저장 장치가 필요한 PMP, UMPC, PDA, 디지털 카메라 및 캠코더 메모리 등 휴대용 및 영상 기기에 사용될 것으로 보인다. 64GB 용량으로는 DVD 영화 40편에 해당하는 동영상과 16,000 곡의 MP3 파일을 저장할 수 있다.
예전 삼성전자의 하드 디스크 시장에 대한 플래시 메모리 대체론에 씨게이트와 같은 하드 디스크 제조사는 가격당 용량에서 플래시 메모리가 하드 디스크를 따라갈 수 없다고 언급했으나, 이번 32Gb 낸드 플래시 메모리의 개발로 2.5" 이하의 소형 저장 장치 분야에서는 플래시 메모리가 하드 디스크를 추월하게 될 것으로 보인다. 현재 하드 디스크 드라이브 업체들이 내놓는 소형 하드는 1인치 HDD가 12GB, 0.8인치 HDD는 4GB의 용량을 제공한다.
그러나 수직기록방식을 적용하면 일반 하드보다 고용량 제품을 만들 수 있고 1.8인치 하드로는 이미 160GB 제품까지 만들었기 때문에 1인치 이하의 하드도 플래시 메모리의 추격에 맞서 비슷한 용량의 제품이 등장할 가능성도 있다.
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