Micron에서 1Gbit DDR3 DRAM을 개발했다는 소식이 PC Watch에 올라왔다.
해당 기사에 따르면 Micron은 25일(현지시간)자로 1Gbit 용량의 DDR3 DRAM을 개발했다고 발표했다.
1Gbit DDR3 제품 양산은 2007년 초로 예정하여 78nm 공정으로 만들어지며, 512MB~4GB 제품까지 FB-DIMM, Unbuffered DIMM, SO-DIMM, Registered DIMM 모듈을 지원하게 될 것이라고 한다.
Micron의 DDR3 DRAM은 동작 클럭 400MHz ~ 800MHz, 데이터 레이트는 800MT/s ~ 1600MT/s를 지원하여 DDR2의 2배가 된다. 또한 구동 전압도 낮출 수 있어 DDR2 메모리에서 1.8V였던 것이 DDR3 메모리로 바뀌면 1.5V로 낮아져 최대 30%의 전력 소모를 줄일 수 있다.
Micron에서는 2Gbit DDR3 메모리도 개발 중이며 1Gbit 제품과 마찬가지로 2007년에 양산한다는 계획을 세우고 있다.
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