하이닉스반도체(대표 우의제(禹義濟), www.hynix.co.kr)는 300mm 연구개발 FAB인 ‘R3’를 이천 사업장에 개소했다고 26일 밝혔다.
하이닉스반도체는 그 동안 200mm R&D FAB에서 제품을 개발한 후 300mm FAB에서 생산할 경우 FAB의 공정조건이 서로 달라 제품 개발이 다소 지연되는 어려움을 겪고 있었으며, 선행 공정기술 개발을 위한 200mm 장비가 지원되지 않아 신제품 개발에 대한 효율성이 떨어지고 있었다.
하지만 R3 R&D FAB 개소로 이와 같은 비효율적인 요인을 제거할 수 있게 됨에 따라 제품 개발을 보다 신속하게 하는 한편, 50 나노급 이하 D램 및 낸드 플래시 신제품 개발에도 더욱 박차를 가할 수 있게 되었다. 또한 이와 같은 제품 개발의 효율성으로 300mm 시장을 선도할 수 있어 업계 최고의 원가 경쟁력을 더욱 강화할 수 있게 되었다고 덧붙였다.
하이닉스반도체는 금년 1월 R3 FAB 건설을 위해 TFT를 구성하였으며, 6월부터 200mm FAB이었던 이천 M6를 개조한 후 불과 3개월만인 8월에 약 8천5백여 평 규모의 300mm FAB으로 개조하여 시험운전 및 안전검사를 완료하였다. 이어 9월에는 첫 장비를 입고하였으며, 오는 10월에는 첫 연구개발 웨이퍼를 투입할 예정이다.
한편, 하이닉스반도체는 STMicro사와 합작으로 건설한 중국공장에 대한 준공식을 본격적인 300mm 웨이퍼 양산 시점에 맞춰 오는 10월 10일에 중국 강소성 무석시에 가질 계획이다.
향후 중국공장의 양산으로 하이닉스반도체는 한국과 미국(유진공장), 중국을 연결하는 글로벌 생산체제를 구축하여 상계관세 등 통상문제의 원천적 해결, 300mm 웨이퍼 생산시설 확충, 중국시장에서 경쟁우위 유지 등 장기적인 성장 기반을 확고히 마련할 것으로 기대하고 있다.
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