하이닉스에서 60nm 공정으로 제조된 고용량의 1Gbit DDR2 SDRAM을 발표했다는 소식이 digitimes에 올라왔다.
이번에 발표된 하이닉스의 60nm 공정이 적용된 고용량의 DRAM은 고성능 그래픽 카드와 모방일 기기 등에 사용될 수 있으며, 2007년 전반기에 본격적으로 사용되어지기 시작할 것이라고 한다. 또, 이 1GB와 2GB 용량의 Unbuffered DIMM은 DDR2 800MHz로 동작하며, 80nm 공정이 적용되었던 1Gbit DRAM보다 절반인 50% 정도로 가격을 낮출 수 있을 것이라고 한다.
또한, 하이닉스에 따르면 1Gbit 패키징 사이즈는 4GB 용량과 고용량의 RDIMMs (Registered DIMM), FBDIMMs (Fully Buffered DIMM)의 제조에도 비용을 기존보다 줄일 수 있다고 한다. 이는 Planar dual-row 조립 과정을 통해 가능한 것으로 작은 패키지 사이즈를 가능하게 하며, 기존의 복잡한 과정들을 줄일 수 있게 되어 제조 과정에 드는 비용을 줄일 수 있게 된다. 이를 통해 Very Low Profile (VLP) 모듈의 제조 역시 작은 사이즈가 가능하게 된다고 한다.
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