램트론(Ramtron International, 지사장 이희준, www.ramtron.com)이 4Mb FRAM 메모리를 개발했다고 밝혔다.
이제품은 용량이 기존 FRAM 제품의 4배에 달하며, 고속 액세스, 무제한적인 R/W 사이클 및 저전력 소모 등의 특징을 지닌 4Mb 3V 병렬 비휘발성 RAM으로, 44핀 TSOP(thin small outline plastic) 패키지로 제공된다. 비동기 SRAM과 핀 호환이 가능한 FM22L16은 로봇공학, 네트워크 및 데이터 스토리지 애플리케이션, 다기능 프린터, 자동차 네비게이션 시스템 및 다양한 SRAM 기반 시스템 설계 등 산업 제어 시스템에 사용된다.
FM22L16은 256K x 16 비휘발성 메모리로 구성되며, 산업 표준 병렬 인터페이스로 액세스 가능하다. 액세스 타임은 55ns이며, 사이클 타임은 110ns이다. FM22L16은 NoDelay™ 기록용 버스 속도로 R/W를 하며, 최소 100조 번의 기록이 가능하고 10년간 데이터를 유지한다.
램트론의 4Mb FRAM은 표준 비동기 SRAM을 드롭인(drop-in) 방식으로 대체할 수 있는 것은 물론, 데이터 백업용 배터리가 필요 없고, 모놀리식 형태이기 때문에 신뢰성이 더욱 높아 SRAM보다 훨씬 뛰어나다. FM22L16은 진정한 표면 실장형 솔루션으로 배터리 장착을 위한 재작업 단계가 필요 없으며, SRAM 과 달리 습기, 충격 및 진동에 매우 강하다.
최신 고성능 마이크로프로세서와의 인터페이스가 편리한 FM22L16은 고속 페이지 모드가 특징으로, 4byte 버스트 R/W 작업을 최대 40MHz로 할 수 있으며, 버스 속도가 재래식 RAM보다 월등히 빠르다. FM22L16은 슬립모드 시 최저전류 5μA, R/W에는 18mA의 전류를 소모하므로 일반 SRAM보다 동작 전류가 낮은 것이 장점이다. FM22L16은 산업 온도범위(-40°C ~ +85°C)에서 동작할 수 있으며, 동작 전압은 2.7V ~ 3.6V이다.
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