하이닉스 메모리의 국내 공식 A/S와 마케팅을 담당하고 있는 이오메모리는 하이닉스 DDR3 메모리 PC3-8500 CL7 1GB와 2GB 제품을 출시 예정이라고 밝혔다.
소비전력이 적어야 하는 메인 메모리 응용 분야에 적합. DDR3 SDRAM의 내부 파이프라인 데이터 패스와 8비트 프리페치(PREFETCH)와 같은 기능 때문에, 차세대 응용분야에 필요한 광대역 폭을 구현 할 수 있다고 말한다. 하이닉스는 인텔로부터 80나노 공정기술로 제작된 1Gb DDR3 단품 뿐만 아니라, 이 단품을 이용하여 만든 PC용 고용량 모듈도 함께 인증 받았다.
이오메모리 마케팅 담당자는 "하이닉스가 3분기에는 80나노 제품을 양산할 예정이며, 올해 말에는 66나노 공정에 제품도 양산 계획을 가지고 있다. 특히, DDR2은 800Mbps까지 동작하였으나, DDR3는 1600Mbps까지 가능하여 컴퓨터의 성능을 획기적으로 향상시킬 수 있다"고 말하며, "DDR2와 또 다른 부분은 기본전압이 1.8V에서 1.5V로 전력 소비가 25% 이상 줄어든 절전형 제품이라 에너지 효율화 추세에도 부합하다"고 밝혔다.
이오메모리는 현재 DDR3 메모리 지원 보드인 ASUS P5K3-Deluxe, GIGABYTE P35C-DS3R에서 테스트를 하고 있다고 덧붙였다.
관련문의 : 이오메모리 (www.eoelectronics.com) 02-2120-3901
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