삼성전자가 지난 해 10월 세계 최초로 개발한 바 있는 50nm급 1기가 DDR2 D램에 대한 인텔 인증을 획득했다고 밝혔다.
삼성전자는 이번 50nm급 D램 인증은 50nm급 제품 가운데 업계 최초로 완료한 것으로 DDR2 제품 중 최고속인 800Mbps 제품에 대해 양산 가능한 수준의 제품 특성을 확보했음을 공인받았다는데 큰 의미가 있다고 설명했다.
이번에 인텔 인증을 획득한 50nm급 1기가 DDR2 D램은 현재 주력 양산 공정인 80nm 대비 2배, 그리고 60nm급 1기가 DDR2 D램 대비 50% 이상 생산성 향상이 가능하여 원가 경쟁력이 강화될 것으로 보인다.
삼성전자는 올해 3월부터 업계 최초로 60nm급 1기가 DDR2 D램을 양산 개시하여 70~80nm 공정으로 제품을 양산하는 업계 수준에 비해 앞서가고 있으며, 이번 50nm급 D램은 2008년 상반기부터 양산에 들어갈 예정으로 DDR2 뿐만 아니라 DDR3, 그래픽, 모바일용 등 전체 D램 제품군으로 확대 적용할 계획이다.
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