하이닉스반도체(이하 하이닉스)에서 세계 최초로 3중셀(X3) 기술을 적용한 32기가비트(Gb) 낸드플래시 메모리 개발에 성공했다고 밝혔다.
3중셀(3bit per cell, X3)은 하나의 셀에 하나의 정보를 담는 SLC, 하나의 셀에 2개의 정보를 담는 MLC에 이어 하나의 셀에 3개의 정보를 담을 수 있는 차세대 기술로 기존 MLC 대비 칩 면적을 30% 이상 축소할 수 있어 원가 절감이 가능하며, 8개로 묶인 하나의 상용 칩패키지로 구성되어 32GB 메모리 용량을 구현한 제품을 만들 수 있다. 특히 이번에 개발된 3중셀 32Gb 낸드 플래시는 하이닉스와 인텔, 소니, 마이크론 등이 주도하는 ONFI(Open NAND Flash Interface) 규정을 따른 세계 최초의 BA(Block Abtracted) 낸드플래시 제품이기도 하다.
하이닉스는 이번 3중셀 제품 개발에 MSP(Memory Signal Processing) 기술을 이용해 최대 장애요인인 셀간 간섭 현상을 해결했으며, 이 기술을 바탕으로 향후 4중셀(X4) 등 차세대 제품에도 확장 적용이 가능해 공정 미세화 한계를 극복하고 비트그로스를 유지할 수 있는 대안이 될 것으로 기대했다.
하이닉스는 이번 3중셀 기술을 기반으로 16Gb 양산 적용에 한정되었던 48nm 공정 기술을 32Gb 제품까지 확대 적용해 오는 10월부터 양산에 들어갈 예정이다.
한편, 현재 낸드플래시 메모리 업계는 올 하반기를 목표로 32Gb 낸드플래시 개발 경쟁에 나서고 있는데, 인텔과 마이크론이 합작한 IM플래시는 이미 34nm 공정을 이용해 32Gb MLC 제품을 내놓을 것이라고 밝혔고, 삼성전자 역시 올해 안으로 42nm 공정으로 낸드플래시를 생산한다는 계획을 세웠다.
하이닉스도 올해 안에 48nm 공정보다 미세한 41nm 공정으로 이전할 계획이지만, 이번 3중셀 기술 개발로 공정 전환 시기가 다소 늦춰지더라도 MLC 제품에 비해 원가 절감이 가능해져 낸드플래시 시장에서 가격 경쟁력을 확보할 수 있게 되었다.
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