하이닉스반도체(이하 하이닉스)는 미국 뉴모닉스사와 차세대 낸드플래시 기술 및 제품에 대한 포괄적인 공동 개발 계약을 체결했다고 발표했다.
뉴모닉스는 지난 3월에 인텔과 ST마이크로의 메모리 사업부를 통합해서 만든 회사로 하이닉스는 이미 2003년 4월에 ST마이크로와 플래시 메모리에 대한 전략적 제휴 계약을 체결한 바 있으며, 이번 확대 계약을 통해 낸드플래시에 대한 포괄적인 공동 개발을 비롯해 휴대폰 시장을 겨냥한 MCP 제품에 사용되는 모바일 D램에 대한 협력도 추진할 계획이다.
하이닉스는 이번 협력을 통해 뉴모닉스의 비휘발성 메모리 기술을 바탕으로 낸드플래시 공정 세대 전환시 기술적인 한계를 극복할 수 있게 되었으며, 인텔로부터 뉴모닉스로 흡수된 우수인력을 활용해 소프트웨어 및 마이크로 컨트롤러 솔루션 노하우를 공유해 기존 낸드플래시 칩을 단순 실리콘에서 MicroSD, eMMC, SSD와 같은 복합 시스템으로 만들어 관련 시장으로 효과적인 진입을 할 수 있을 것으로 내다봤다.
특히, 기존 낸드플래시의 Floating Gate 구조를 대체할 것으로 예상되는 CTD (Charge Trap Device) 개발에 있어 뉴모닉스가 보유한 노어플래시 기술을 활용할 수 있게 돼 기술 경쟁력 확보에 도움이 될 것으로 기대된다고 언급했다.
한편, 하이닉스는 이번 협력과는 별도로 자사의 모바일 D램을 최대 수요처 중 하나인 뉴모닉스에 대량 공급하게 돼 연내 모바일 D램 시장 점유율을 상당한 수준으로 확대할 수 있게 됐다고 덧붙였다.
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