삼성전자에서 50나노급 2Gb DDR3 D램에 대해 업계 최초로 인텔 인증을 획득했다고 발표했다.
이번에 인증된 제품은 2Gb(기가비트) DDR3 D램 단품(x8) 및 PC용 4GB(기가바이트) UDIMM(Unbuffered DIMM) 모듈 제품이며, 삼성전자는 서버용 8GB 및 16GB RDIMM(Registered DIMM) 모듈 9종도 현재 평가 중으로 내년 초가 되면 50나노 2Gb DDR3 전 제품에 대한 인텔 인증이 완료될 것이라고 설명했다.
50나노급 2Gb DDR3 D램 제품은 지난 2007년 삼성전자에서 개발한 60나노 2Gb DDR2 D램 대비 약 1.6배 빠른 1333Mbps의 속도를 구현했다.
단품 칩의 크기가 작아져 생산 효율도 기존 대비 60% 이상 향상되어 칩 사이즈가 컸던 기존 60나노 2Gb DDR2 D램은 패키지 적층(DDP) 기술을 적용해야만 고용량 모듈 제작이 가능했으나, 50나노급 2Gb DDR3 D램은 별도의 적층 기술 없이 8GB RDIMM, 4GB SODIMM, UDIMM 제품 양산이 가능해졌다.
또한 1Gb DDR3 단품을 탑재한 모듈에 비해 D램 단품 갯수를 반으로 구성할 수 있기 때문에 소비 전력도 40% 이상 절감할 수 있으며, 그에 따라 동작시 발생하는 발열량도 줄어들어 신뢰성이 향상되었다.
삼성전자는 이번 50나노급 2Gb DDR3 D램 인텔 공식 인증으로 노트북 및 서버 시장에서 2기가 DDR3 D램 제품은 안정적 채용 기반을 확보하였으며, 본격적인 수요 증가가 예상된다고 언급했다.
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