빠르게 적용되는 신기술 등으로 인하여 DDR3 메모리는 높은 속도와 저전력 등의 적용을 통해 메모리 시장의 장악력이 점점 증가해 2009년 DDR3 메모리는 29%의 메모리 시장 점유율을 가질 것으로 예상된다는 소식이 dailytech에 올라왔다.
삼성과 일본 Epida는 DDR3 메모리에 50nm 공정을 적용하여 빠르면 이달부터 대량 생산에 들어갈 것으로 알려지고 있으며, 이를 통해 높은 동작속도와 용량 증대, 낮은 레이턴시, 소비전력, 보다 저렴해진 가격을 제공할 것으로 예상되고 있다.
Epida의 새로운 50nm 공정은 193nm argon fluoride immersioin lithography와 copper interconnect 기술의 조합을 통해 구현이 되며, 표준으로 사용되는 aluminum interconnects보다 25% 빠른 속도를 제공할 수 있게 된다. 또, 표준 칩보다 40mm2 더 작아진 칩을 생산할 수 있어 웨이퍼 당 더 많은 메모리 칩 생산이 가능해져 가격 경쟁력이 기존보다 더 향상된다.
새로운 50nm 공정 칩은 1.5V의 동작과 2.5Gb/s의 대역폭을 제공하며, 1.2V 1.6Gb/s의 제품도 등장하게 된다. 1Gb 용량으로 생산되며, 모바일과 서버 어플리케이션 등의 분야에도 사용이 가능해진다.
삼성 역시 50nm 공정을 2Gb DDR3 칩에 적용하여 제조할 것으로 예상되며, 올해 50nm 공정이 주요한 기술이 될 것으로 보여지고 있다. 삼성은 50nm 공정 적용으로 이전 DDR2와 비교하여 생산성이 최대 60%까지 증대될 것이라고 주장했다는 내용도 언급되었다.
Qimonda는 지난 11월 Buried Wordline 기술을 적용한 46nm DDR3 칩을 테잎아웃을 진행한 상태이며, 이는 예정보다 빠르게 적용되고 있는 것으로 밝혔다. 이 기술을 적용한 제품의 대량 생산의 시작은 2009년 중반 즈음이 될 것으로 예상된다.
이 밖의 다른 DDR3 제조사들 역시 인텔의 네할렘 아키텍처를 적용한 메인스트림 쿼드 코어 Lynnfield와 AMD의 AM3 소켓 프로세서의 등장에 따라 DDR3 메모리의 시장 요구는 크게 증대될 것으로 예상하고 있다.
인텔 Lynnfield와 윈도우 7이 등장할 것으로 예상되는 2009년 3분기 이후에 DDR3 메모리는 가격 거품이 크게 빠져나갈 것으로 알려지고 있다.
DDR2 칩의 대량 생산에 따른 과잉 공급으로 인해 대부분의 제조사들은 DDR2에 50nm 공정 기술을 적용한 공장 증설보다는 기존 65/ 70nm 설비를 DDR3 생산에 적용할 것으로 알려지고 있다.
IDT (International Data Corporation)와 IT 시장 조사 기관들에 따르면, DDR3의 판매는 2009년 전체 DRAM 시장의 29%를 차지할 것으로 예상되며, 2011년에는 72%로 성장될 것이라고 예측했다.
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