삼성전자에서 세계 최초로 40나노급 공정을 적용한 DDR2 D램 제품을 개발했다고 밝혔다.
지난 2005년 세계 최초로 60나노급 D램 개발에 이어 2006년 50나노급 D램 개발했던 삼성전자는 이번 40나노급 DDR2 제품은 D램 공급 업체 가운데 유일하게 작년 12월 인텔에 단품 채용 평가를 완료한 데 이어 올해 1월 1GB DDR2 SO-DIMM 모듈까지 2종의 제품 채용 평가를 완료한 것으로 알려지고 있다.
또한 삼성전자는 이번 40나노급 1기가 DDR2 D램 개발 기술을 토대로 40나노급 2기가 DDR3 D램 역시 올해 안에 개발을 완료하고 양산까지 들어갈 예정이라고 밝혔다.
이는 50나노급 D램 개발 후 양산까지 2년이 걸렸던 것에 비하면 신제품 양산 기간을 1년 이상 단축하는 것으로, 삼성전자는 이를 통해 현재 50~60나노급 D램을 양산하는 경쟁 업체 대비 제조 경쟁력을 1~2년 이상 확대시킬 수 있을 것으로 전망했다.
40나노급 DDR3 D램이 양산될 경우 지난 2008년 9월 양산에 들어간 50나노 2기가비트 DDR3 D램 대비 생산성을 약 60% 향상시킬 수 있으며, 저전력 및 저전압 특성을 더욱 강화할 수 있는 1.2V 동작이 가능해져 50나노급 DDR3 D램의 소비 전력 1.5V에 비해 약 30% 이상 소비 전력을 낮출 수 있게 된다.
삼성전자는 40나노급 D램 시장을 선점함으로써 친환경 특성을 더욱 강화한 고부가가치 D램 시장을 창출하는 것은 물론, 향후 DDR4 등 초고속 스피드를 구현하는 차세대 고용량·고성능 제품을 선행 개발하여, 업계 최고의 기술 리더십을 확보하고 경쟁력 우위를 지속 유지해 나갈 계획이라고 언급했다.
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