하이닉스반도체(이하 하이닉스)에서 세계 최초로 44나노 공정 기술을 적용한 1기가비트(Gb) DDR3 D램을 개발했다고 밝혔다.
이번에 개발된 44나노(nm) 공정 1Gb DDR3 D램은 현재 하이닉스에서 양산 중인 54나노 공정 대비 약 50% 이상 생산성이 향상된 제품으로 '3차원 트랜지스터 기술'을 사용해 누설 전류를 제어함으로써 전력 소비를 최소화 하면서 업계 최고 수준의 동작 속도이자 향후 차세대 DDR3의 표준 속도가 될 것으로 예상되는 2133Mbps를 지원하는 것으로 알려졌다. 또한 다양한 전압을 지원하는 것이 특징이다.
하이닉스는 이번에 개발된 44나노 공정이 적용된 DDR3 D램의 양산은 올해 3분기에 시작되며, 2010년부터는 다양한 용량의 DDR3 제품을 대규모로 양산할 계획이다. 또한 DDR3 제품의 초고속 동작과 저소비 전력 특성을 강화해 대용량 메모리 모듈, 모바일 D램, 그래픽 D램에 확대 적용할 계획이라고 언급했다.
새로 개발된 1Gb DDR3 D램은 인텔 규격과 호환성을 만족하는 제품으로 모듈 제품의 인증을 위한 실험도 조만간 인텔에 의해 진행될 예정이다.
삼성전자는 40nm 제품을 하이닉스와 달리 DDR2에 먼저 적용하여 개발 한 상황이며, DDR3의 경우는 현재 50nm급 공정이 적용되고 있다. 삼성전자는 올해 DDR3에 40nm급 공정 적용제품을 개발할 예정이며, 6개월안에 공정까지 적용할 예정이다.
이는 지난 50nm급 공정이 제품개발과 양산사이에 2년 6개월가량 걸린것을 참고하면 상당히 빠른 적용 예정임을 알 수 있다.
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