삼성전자가 40나노급 공정을 적용한 8기가 플렉스 원낸드(Flex-OneNAND)를 개발했다고 밝혔다.
이번에 개발된 8기가비트(Gb) 플렉스 원낸드 제품은 퓨전 메모리 제품으로는 최초로 40나노 공정을 적용해 기존 60나노급 4기가 플렉스 원낸드 제품 대비 생산성을 약 2.8배 이상 향상시켰다.
플렉스 원낸드 제품의 소프트웨어 솔루션은 휴대폰 업체에서 직접 플렉스 원낸드의 SLC 및 MLC 용량을 자유자재로 디자인할 수 있어 코드용 SLC 플래시와 사진 및 동영상의 데이터 저장용 MLC를 하나의 칩으로 구현할 수 있다. 또한 내장 타입의 확장 스토리지인 Movi-NAND(혹은 eMMC)까지 컨트롤 할 수 있어 휴대폰 업체가 고용량 내장 스토리지를 갖춘 제품을 개발할 때 별도의 소프트웨어가 필요없다.
삼성전자는 2007년 60나노급 4기가 플렉스 원낸드 제품 개발로 고성능 스마트폰에서 퓨전 메모리 시장을 더욱 확대한 데 이어, 올 3월부터 8기가 플렉스 원낸드를 양산해 고용량 하이엔드 휴대폰 시장까지 퓨전 메모리 제품으로 전환해 나갈 예정이라고 언급했다.
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