엘피다(Elpida)에서 40nm 공정의 2Gb(기가비트) DDR3 SDRAM을 개발했다고 발표했다.
이번에 개발된 2Gb DDR3 SDRAM은 새로운 40nm 공정으로 칩 크기를 줄여 기존 50nm 제품에 비해 웨이퍼 당 얻을 수 있는 칩의 숫자가 44% 증가했으며, 동작 속도도 기존 DDR3 메모리의 가장 빠른 표준 1.6Gbps 제품 수율 100%를 달성하며 새로운 고속 제품에 대한 지원도 제공한다.
또한 소비 전류는 50nm 제품 대비 약 2/3로 줄었고, DDR3 표준 전압인 1.5V 뿐만 아니라 1.2V, 1.35V도 지원해 소비 전력을 최대 45% 줄일 수 있다.
특히 엘피다는 이번 40nm 공정 DRAM 개발이 성능 뿐만 아니라 가격 경쟁력을 의식해 현재의 50nm 시설에서 전환 투자가 거의 필요 없으며 65nm 공정에서의 전환 투자 효율도 50nm에 비해 40nm 공정이 더 이익이 된다고 설명했다.
40nm 공정 외에 엘피다는 비용 면에서 타사의 50nm 공정 제품과 경쟁할 수 있는 65nm XS 버전을 병행 개발 중에 있으며, 더 작은 칩을 제공하는 65nm 공정 제품의 개발에도 착수하고 있다고 언급했다.
엘피다의 40nm 공정 2Gb DDR3 SDRAM은 11월에 샘플이 출하되고 2009년 내에 양산에 들어갈 예정으로, 향후 DRAM 시장 상황에 따라 40nm 공정 라인을 50%까지 늘릴 계획이다.
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