하이닉스반도체(이하 하이닉스)에서 2세대 1기가비트(Gb) DDR3 제품 개발에 성공했다고 밝혔다.
이번 달부터 양산이 시작된 2세대 1Gb DDR3 제품은 기존 54나노(nm) 공정기술을 활용하면서도 회로를 최적화화고 단순화시키는 한편 내부 신호처리에 새로운 방법을 도입하는 등 설계기술 혁신을 통해 기존 동작 전압인 1.5V를 유지하면서도 전력 소모를 기존 제품 대비 약 30% 줄인 것이 특징이다.
하이닉스는 현재 DDR3 시장의 90% 가량을 차지하고 있는 1Gb DDR3 제품에서 업계 최고 수준의 성능과 저전력 특성을 구현한 2세대 제품을 통해 저전력 제품을 원하는 고객 수요에 적극 대응해 시장을 주도할 것이라고 언급했다.
하이닉스는 연말까지 전체 D램 생산량에서 DDR3의 비중을 50%이상으로 확대하는 한편, 4분기 양산 예정인 44나노 공정의 2Gb DDR3 제품 및 향후 개발되는 모든 제품에도 이번에 개선한 설계기술을 동일하게 적용할 방침이다.
한편, 시장 조사기관인 아이서플라이 전망에 따르면 현재 DDR3 D램 중에서 1Gb 제품비중은 약 87% 정도로, 2011년 2Gb 제품 비중이 절반 이상 되기 전까지는 시장의 주력 제품이다.
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