DRAM의 생산가격이 2010년 제조사들의 공정 경쟁에 힘입어 하락될 것이라는 소식이 digitimes에 올라왔다.
DRAM 제조사들은 차세대 제품 공정을 도입하기 위해 노력하고 있으며, 그 결과 2010년 DRAM 생산비용은 전반적으로 줄어들 것으로 예상된다고 대만 DRAM 제조사들은 밝혔다.
삼성전자는 DRAM 생산 제품 중 56nm 공정을 50% 이상에 적용하고 있으며, DDR3에는 40nm 공정을 적용하여 2009년 4분기 소량생산을 시작할 것으로 알려지고 있다. 삼성전자는 40nm 공정이 2010년 하반기가 되면 주요 공정기술이 될 것으로 내다봤고 기존보다 더 나은 효율성과 가격을 이끌어낼 수 있을 것이라고 전했다.
Elpida 메모리는 Extra 65nm로 불리는 공정을 적용하기 시작했고 40nm 공정으로의 이전은 2010년에 진행할 것으로 알려지고 있다. 일본 DRAM 제조사들은 65nm 기반으로 DRAM을 생산하고 있으며, 싱글 nm 공정기반 300mm (12인치) 웨이퍼로부터 20% 이상의 메모리 칩을 생산하고 있다.
대만 Nanya Technology와 Inotera Memories는 Micron Technology의 50nm와 동등한 공정기술을 적용할 것으로 알려지고 있으며, Nanya와 Inotera는 모두 2010년 1분기 50nm 기반 메모리 칩의 대량생산에 들어갈 것으로 예상되고 있다.
iSuppli의 최근 보고서에 따르면, 세계 DRAM 산업은 2012년까지 충분한 생산량을 제공할 것이라고 전했다. 공급자들 대부분은 생산량 확대보다 진보된 공정 기술에 더 많은 비용을 투자할 것으로 알려지고 있다.
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