메모리 제조사인 하이닉스는 40nm 공정을 기반으로 만들어진 2Gb DDR3 DRAM이 인텔의 인증을 획득했다는 소식이 tcmagazine에 올라왔다.
하이닉스가 인텔로부터 인증을 획득한 제품은 40nm 기반 2Gb DDR3 DRAM과 4GB DDR3 SO-DIMM, 2GB DDR3 UDIMM으로 4GB DDR3 SO-DIMM, 2GB DDR3 UDIMM의 2종은 모두 1.5V와 1333MHz로 동작된다.
하이닉스 김지범 마케팅 본부장 (CMO, Chief Marketing Officer)은 현재 메인스트림 메모리 시장은 고성능 서버 시장처럼 1Gb에서 2Gb로 용량이 증가되고 있으며, 하이닉스는 1Gb와 2Gb DDR3 제품의 최상의 성능을 제공하기 위해 노력하고 있다고 전했다.
하이닉스의 40nm 2Gb DRAM은 50nm 공정으로 만들어진 DDR3 칩보다 40% 가량 더 적은 전력을 소모하며, 이전 공정보다 60% 가량 더 많은 생산량을 얻을 수 있는 것으로 알려지고 있다.
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