삼성전자가 세계 최초로 30나노급 공정을 적용한 2Gb(기가비트) DDR3 D램을 개발했다고 밝혔다.
삼성전자는 보도자료를 통해 지난 해 1월 40나노급 D램을 개발한 뒤 1년 만에 차세대 공정을 적용해 30나노급 D램을 개발했으며, 올해 하반기부터 본격적인 양산에 들어갈 예정이라고 발표했다.
이번에 개발된 30나노급 DDR3 D램은 지난 해 7월부터 삼성전자에서 양산에 들어간 40나노급 D램에 비해 약 60%의 생산성을 증가시킬 수 있고, 기존 50~60나노급 D램에 비해서는 원가 경쟁력을 2배 이상 확보할 수 있는 것으로 알려졌다. 또한 소비 전력도 50나노급 D램에 비해 약 30%, 40나노급 D램에 비해서는 약 15% 이상 줄어든다.
30나노급 DDR3 D램을 사용하는 서버용 메모리는 동작전압 1.35V에 속도는 1.6Gbps로 만들어지며, PC용 메모리로는 1.5V 1.866Gbps 모델까지 공급해 현재 양산되는 40나노급 DDR3 D램의 1.333Gbps보다 40% 빨라질 예정이다.
삼성전자 측은 지난해 12월 30나노급 2Gb DDR3 D램 단품과 노트북용 2GB 모듈 제품 샘플을 고객들에게 보내 올해 1월 중순에 평가를 완료했다고 설명했다.
한편, 삼성전자는 올해 하반기 30나노급 D램 양산을 계기로 전력소비가 큰 서버는 물론 노트북까지 적극적으로 소비 전력을 줄인 신공정 '그린 메모리' 판매 비중을 확대해 나간다는 전략이다.
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