삼성전자에서 세계 최초로 4Gb(기가비트) DDR3 D램 양산에 들어갔다고 발표했다.
삼성전자는 보도자료를 통해 지난 해 1월 50나노급 공정을 이용해 세계 최초로 개발한 4Gb DDR3 D램을 이 달부터 40나노급 최신 공정을 이용해 양산한다고 밝혔다.
서버용 32GB, 데스크탑과 노트북용 8GB 메모리도 나온다
이번 양산에 들어가는 4Gb DDR3 D램을 사용할 경우 서버용 32GB(기가바이트) 및 16GB 모듈, 워크스테이션 및 데스크탑용 8GB 모듈, 노트북용 8GB 모듈 등 기존 대비 두 배의 대용량 메모리 모듈 제품 공급이 가능해진다.
이에 따라 삼성전자는 지난해 7월 40나노급 2Gb DDR3 D램을 양산하면서 최대 16GB 용량까지 모듈 제품을 공급해 온 데 이어, 이번 4Gb DDR3 D램 양산으로 업계 최초로 최대 32GB 용량의 모듈을 공급할 수 있게 됐다.
또한 4Gb DDR3 D램은 기존의 2Gb DDR3 D램보다 성능이 강화되어 데이터 처리 속도를 최대 1.6Gbps까지 높였으며 동작 전압은 1.35V와 1.5V를 지원한다.
용량은 늘고 소비 전력은 오히려 줄어
서버에서 이번에 개발된 4Gb DDR3 32GB 모듈을 사용할 경우 96GB 용량을 기준으로 60나노급 1Gb DDR2 D램을 사용한 모듈은 210W(와트)의 전력을 소비하는데 비해 40나노급 2Gb DDR3 D램은 55W로 약 75%를 절감할 수 있고, 40나노급 4Gb DDR3 D램은 36W에 불과해 60나노급 제품 대비 약 83%, 40나노급 2Gb DDR3 D램 대비 추가로 35%나 절감할 수 있다.
삼성전자는 이번 4Gb DDR3 D램 양산과 함께 40나노급 DDR D램 비중을 적극적으로 확대해, 서버 및 PC 용으로 공급하는 D램 중 40나노급 제품의 비중을 상반기에 90% 이상까지 끌어올려 고객들에게 안정적인 공급 능력을 확보할 계획이라고 언급했다.
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