세계 DRAM 공급이 2010년 4분기에는 수요보다 공급이 더 많아질 것이라는 소식이 digitimes에 올라왔다.
세계 DRAM 공급은 2010년 마지막 분기에 공급이 수요보다 약 3%를 초과할 것으로 예상된다고 하며, 이는 주요 메모리 칩 제조사들이 이전보다 진보된 공정을 적용하여 생산량이 늘어나는데 있다고 전했다.
Digitimes 보고서의 예측에 따르면, 세계 DRAM 생산량은 올해 4분기 1Gb 용량의 칩이 4억 2천 5백만 개에 이를 것이며, 3분기의 3억 8천만 개보다 크게 늘어날 것으로 예상되고 있다. 그러나, 수요는 4분기 동안에는 큰 증가가 이루어지지 않을 것으로 보았으며, 이전 분기의 3억 8천 2백만 개보다 늘어난 4억 1천 2백만 개의 1Gb 메모리 칩이 필요할 것으로 예상되고 있어 수요보다 공급이 더 많아질 것으로 예상된다.
삼성전자 (SAMSUNG)와 하이닉스 (Hynix)는 2010년 초 40nm 공정을 DRAM에 적용했고 이를 바탕으로 지난 분기의 50nm 공정 생산수율보다 크게 증가될 것으로 예상되고 있다. 삼성전자는 4분기 1Gb 용량의 메모리 칩을 1억 5천만 개 생산할 것으로 예상하고 있고 1분기의 1억 개보다 증가할 것으로 예상되고 있다. 삼성은 50nm에서 40nm 공정 기술로 이전하고 46nm 공정 대량 생산은 이미 2009년 4분기에 이루어졌으며, 4분기에는 30nm 공정을 도입할 것으로 예상되고 있다.
하이닉스는 1Gb 메모리 칩을 44nm 공정 기술을 적용하여 생산량이 늘어날 것으로 예상되고 있다. 2분기 1Gb 메모리 칩 전체 생산량은 7천 8백만 5천 개로 예상하고 있으며, 4분기에는 1억 개를 예상하고 있다.
엘피다 (Elpida) 메모리는 2010년 말까지 45nm 공장을 통해 생산할 계획을 갖고 있으나 Rexchip Electronics의 도움으로 메모리 칩 선적을 할 것으로 예상된다. Rexchip은 현재 엘피다 전체 생산의 약 70%를 공급하고 있다. 올해 말 45nm 노드를 적용해 매달 12인치 웨이퍼 8만 개를 생산할 것으로 예상되고 있다.
마이크론 (Micron Technology)는 DRAM 파트너인 난야 (Nanya Technology)와 협력해 2010년 3분기 42nm 공정을 본격 적용할 것으로 예상된다고 전했다. 이들의 조인트 벤처인 Inotera Memories는 올해 말 45nm 노드를 적용할 것으로 알려지고 있다.
Inotera는 2개의 12인치 fab을 통해 매달 13만 개의 웨이퍼를 생산하고 있으며, 올해 말 50nm 칩 생산을 모두 진보된 공정으로 대체할 것으로 예상되고 9월부터 42nm 공정을 적용한 칩 생산에 들어갈 것으로 알려지고 있다.
DDR3 선적은 2010년 마지막 분기까지 지속적으로 증가할 것으로 예상되고 세계 DRAM 시장의 70% 이상을 차지할 것으로 예상된다고 Digitimes Research는 밝혔다. DDR3의 DRAM 시장 점유율은 2분기 51%가 증가하여 이전 분기의 46%보다 증가되었고 2009년 2분기의 14%보다 크게 성장했다고 전했다.
|
[영상] CXMT 중국 메모리는 가격 폭등을 타고 메모리 BIG4가 될 수 있을까?, [메모리 가격 폭등 9부] 
