하이닉스 (Hynix)는 2010년 2월 20nm 공정 기술을 개발한데 이어 20nm급 64Gbit 낸드플래시 (NAND Flash) 메모리 양산을 시작했다고 8월 8일 밝혔다.
하이닉스가 개발한 20nm 급 64Gb 칩은 300mm 웨이퍼를 통해 생산되며, 현재의 32Gb 적용 제품과 비교하여 2배에 이르는 용량을 제공할 수 있다. 20nm 급 제조공정은 또한 30nm 급 기술과 비교하여 60% 더 증가된 생산성을 제공할 것이라고 전했다.
하이닉스는 20nm 급 64Gb 칩 생산으로 진보된 모바일 솔루션에서 필요로 하고 있는 작은 사이즈와 고용량 저장장치의 용량에 대응하며, 이전보다 생산성 향상을 통해 비용을 줄일 수 있을 것이라고 밝혔다.
또, 하이닉스에서 개발된 30nm 급 32Gb 플래시 칩과 컨트롤러 장치들은 전략적 동맹이 이루어진 이스라엘 낸드플래시 솔루션 공급자인 Anobit를 통해 낸드플래시 솔루션 상품으로 개발되고 있으며, 솔루션은 고속과 신뢰성을 크게 향상시켜 등장할 것으로 알려지고 있다.
새롭게 양산 체제에 들어간 20nm 급 낸드플래시 칩 역시 컨트롤러 장치와의 유효성 검사를 2010년 9월 시작할 것으로 알려지고 있어 조만간 20nm 급 낸드플래시 칩이 적용된 장치들이 등장할 것으로 예상된다.
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