DDR2 표준이 공개된지 4년 후인 2007년 중반 새로운 PC 메모리를 이어갈 DDR3 표준이 공개된 가운데 DDR3의 후속이될 차세대 DDR4에 대한 소식이 computerbase에 올라왔다.
DDR3 메모리는 DDR2 메모리를 이어 DDR2와 비슷한 가격대를 형성하기까지 2009년부터 2010년이 소요되었고 이제서야 비슷한 가격대를 형성해 메인스트림 시장으로 진입한 상태인 가운데 DDR4의 표준에 대한 소식들이 전해지기 시작했다.
DDR4에 대한 첫 소식은 도쿄 (Tokyo)에서 열린 MemCon을 통해 메모리 제조사들을 통해 표준에 대한 소식들이 언급되었다. 이들에 따르면, DDR4 표준은 내년 스펙이 정해질 것으로 예상되며, 시행착오를 거쳐 2012년이 되어야 시장에 등장할 수 있을 것이라고 전했다. 그러나, DDR4 메모리가 등장하더라도 DDR3가 그랬던 것처럼 3년 이후인 2015년 즈음이 되어야 메인스트림 시장에서 자리잡을 것이라고 밝혔다.
DDR2에서 DDR3 메모리로의 이동은 저레이턴시와 메모리타이밍보다는 고클럭의 적용을 통해 이런 부분들을 상쇠하는 성능을 제공하는 방향으로 이동했는데 이미 CPU가 가진 대역폭을 충분히 충족시킬 수 있는 듀얼채널 메모리 구성 또는 네할렘 (Nehalem)기반 블룸필드 (Bloomfield)에서는 트리플채널 메모리 구성까지 지원하고 있다. 2011년 등장이 예상되는 인텔 32nm 기반 샌디브릿지 (Sandy Bridge) 등에서는 쿼드채널 메모리 지원이 언급되기도 했고 서버 시장에서는 쿼드채널 메모리 개발이 이루어졌다.
DDR4 메모리는 DDR3 메모리의 제한을 극복하기 위한 개선이 이루어지고 있으며, DDR3보다 더 높은 클럭과 높은 대역폭을 제공할 것으로 예상되고 있다. 또한, DDR2에서 DDR3로의 이동에서처럼 저전력 부분도 고려되고 있다고 전했다.
DDR3 메모리는 조만간 JEDEC를 통해 DDR3-2133MHz가 공식 스펙에 등재될 것으로 예상되고 있다. DDR4 메모리는 일부 공개된 로드맵을 보면 2133MHz부터 최대 4266MHz까지 증가될 것으로 나타나고 있으며, 1600MHz 클럭도 거쳐가는 과정에서 나타날 것으로 예상된다. 동작전압도 1.2V를 가지나 저전력의 경우 1.05V 또는 1.1V 수준이 될 것으로 알려지고 있다.
데스크탑 시장에서 DDR4 메모리는 CPU에 내장된 메모리 컨트롤러에 대응되도록 개발될 것이고 전통적인 듀얼채널 또는 트리플채널은 과거의 유물이 될 가능성이 있다고 전했다. 이에따라 사용자들은 듀얼 또는 트리플 모듈을 구입하는 이전보다 저렴하게 싱글 모듈 업그레이드로 보다 저렴하게 시스템 메모리를 구축할 수 있을 것이라고 언급되었다.
서버 시장에서도 추가 대역폭을 제공할 수 있도록 대체 솔루션이 제공될 것으로 보여진다. CPU에 내장된 메모리 컨트롤러와 커뮤니케이션하는 하나의 스위치는 4개의 모듈을 각각 컨트롤할 수 있게된다. 이런 방식은 현재까지 개발된 쿼드채널보다 더 확장할 수 있을 것으로 예상된다.
DDR4 메모리의 이러한 변화 계획 등은 이제 시작 단계이고 내년이 되어야 보다 구체적인 것들이 밝혀질 것으로 예상되어 새로운 표준에 대한 다양한 제조사들의 의견들이 반영되어 일부에서는 변화될 여지는 충분히 남아있다.
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