DDR3 메모리의 가격은 내년 2분기까지 하락세를 유지할 것이라는 소식이다.
hkepc는 DRAMeXchange 보고서를 인용해 2010년 상반기 DDR3 2GB 약정가격이 오름세를 유지했던 상황에 이어 지속적으로 하락세를 유지하고 있다고 전했다. 11월 초 DDR3 2GB 약정가격은 6개월 전과 비교해 하락된 25달러 ($25)를 유지하고 있으며, DDR3 2GB의 약정가격은 올해말까지 지속적인 하락을 예상해 20달러 ($20)까지 하락될 것으로 예상된다고 전했다.
2010년 상반기 DDR3 2GB는 46.5달러 ($46.5)로 높은 수준을 유지했으나 DDR3 2GB 약정가격은 지속적으로 하락되었고 9월에는 40달러 ($40) 선을 유지하기 시작했다. 이후 10월에는 30달러 ($30) 수준, 11월 초에는 25달러 ($25) 수준으로 낮아져 최고 46% 낮아진 가격대를 형성했다.
이러한 시장의 상황은 전통적인 수요 증가 시즌의 영향보다는 DRAM 공급량이 늘어났던 부분에 있다. 특히, DRAM 칩 제조사들은 하반기 미세공정의 적용으로 생산량 증대와 함께 생산 가격도 하락되어 공급 가격인하에 영향을 주었다고 전했다.
DRAMeXchange는 DDR3 2GB의 약정가격이 여전히 하락세일 뿐만 아니라 하락세가 이어져 거의 20달러 ($20) 수준까지 낮아질 것으로 예상되고 있으며, 분기에 거의 30% 가까이 하락될 것으로 예상되고 있다.
DRAM 가격은 가파른 하락세가 유지될 것으로 보고 있으며, DRAMeXchange에 따르면 삼성전자는 Fab 16을 건설할 계획을 가진 것으로 알려져 있다. 주요 대만 제조사들은 약 20% 투자비용을 줄인 1천 6백억 대만달러를 투자할 것으로 알려지고 있다. 일본 제조사인 Elpida는 매달 6만개의 DRAM 생산이 가능하나 히로시마의 DRAM 공장은 생산량을 줄일 것으로 알려지고 있다. 하이닉스 (Hynix)의 44nm 공정은 현재는 이전단계지만, 3분기 또는 4분기가 되면 충분한 생산이 가능할 것으로 알려지고 있다.
DRAMeXchange는 2011년 DRAM 생산량이 증가될 것으로 예상했으며, 제조사들의 진보된 공정은 최대 50% 비중을 넘어서게 될 것으로 전망했다. 삼성전자는 35nm 기반이 내년 말 즈음에는 50%를 넘어설 것으로 보고 있으며, 하이닉스와 Elpida, Micron 등은 내년 2분기부터 적용이 가능할 것으로 예상되고 있다. 대만 기반 제조사들은 4xnm 공정 이전에 박차를 가하여 생산비용을 줄이고 생산량이 늘어 DRAM 가격에 영향을 줄 것이라고 지적했다. DRAM 가격은 내년 1분기 또는 2분기까지 하락할 것으로 예상되며, 하반기가 되면 안정세를 이룰 것이라고 전했다.
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