엘피다 메모리 (Elpida Memory)는 30nm 공정이 적용된 4GB DDR3 SO-DIMM (EBJ41UF8BDSO)의 개발이 완료되어 샘플 선적을 시작했고 내년 초부터는 대량생산에 들어갈 것이라는 소식이다.
엘피다는 16개의 2Gb DDR3 칩으로 구성된 4GB DDR3 SO-DIMM을 30nm 공정을 적용하여 개발했으며, 샘플 선적이 시작되었고 2011년 1분기에 대량생산을 시작할 것이라고 tcamgazine은 전했다.
30nm 공정이 적용되는 엘피다의 4GB DDR3 SO-DIMM은 40nm 공정 제품과 비교해 동작시 20% 낮은 전류와 대기전류를 30% 줄이는 등의 효과를 얻을 수 있었으며, 트북과 넷북, 타블렛 PC, 다른 휴대용 기기들에 사용시 기존보다 개선된 배터리 성능을 제공할 것으로 알려지고 있다. 또한, 이 메모리는 최대 1866MHz로 동작이 가능해 이를 적용한 컴퓨터 장치들에서 고성능을 이끌어낼 수 있을 것으로 예상되고 있다.
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