삼성전자가 지난달 세계 최초로 차세대 고성능 DDR4 D램을 개발했다고 밝혔다.
이번에 개발된 삼성전자의 DDR4 D램은 30나노급 D램으로 데스크탑용 2GB UDIMM 제품으로, 현재 주력으로 판매 중인 DDR3 D램과 비교해 속도가 2배 이상 빠른 2.1Gbps를 구현했다. 또한 동작 전압도 1.2V로 낮춰 DDR3의 1.5V에 비해 메모리 소비전력을 줄일 수 있다.
삼성전자는 DDR4 D램이 DDR3 D램과 동일한 데이터 읽기/쓰기 방식을 적용했지만, 효율적인 데이터 처리 구조로 동작 속도를 2배 빠르게 구현했으며, 초고속 그래픽 D램에 적용된 저전력 기술을 적용해 데이터를 읽고 쓰는데 소비되는 전력량을 절반으로 줄였다고 설명했다.
삼성전자 측은 컨트롤러 업체들을 비롯한 서버업체들과 협력해 올해 하반기까지 DDR4 D램 관련 기술의 JEDEC 표준화를 완료하고, 2012년 이후 최첨단 차세대 공장에서 DDR4 D램을 양산할 예정이라고 밝혔다.
한편, 반도체 시장조사기관인 아이서플라이(iSuppli)에 따르면 전 세계 D램 시장은 용량기준으로 2010년 45% 성장한데 이어, 2011년부터 2013년까지 약 60% 정도 성장할 것으로 전망했다. 또, 전체 D램 중 2Gb 이상 제품 비중도 2010년 17%에서 2013년 86% 정도까지 확대되고, 4Gb 제품 비중도 2013년 22%에 이를 것으로 전망했다.
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