일본 DRAM 제조사인 엘피다 (Elpida)는 40nm 및 30nm DRAM 개발 및 생산에 대해 발표한 이후 다시 25nm 공정의 DRAM 칩을 개발했고 양산일정을 언급했다는 소식이다.
tcmagazine은 엘피다가 2Gb (Gigabits) 용량의 25nm DDR3 DRAM의 개발에 성공했고 이전의 30nm 급 제품들과 비교해 bit 당 셀 (Cell)의 면적은 30%, 스탠바이 20%, 동작중 15% 가량의 전력소모를 줄일 수 있을 것이라고 전했다.
25nm DRAM은 1.5V 전압에 1866MHz 동작이 가능한 것으로 알려지고 있으며, 1.35V의 저전력에는 1600MHz로 동작이 가능하다.
엘피다 메모리가 개발한 25nm 2Gb DRAM의 샘플링과 양산은 오는 7월로 예상되고 있으며, 엘피다는 또한 4Gb DRAM의 생산을 연말에 가능할 것으로 보고 있다고 전했다.
현재 삼성전자는 지난해, 하이닉스 메모리는 올해부터 30nm급 DRAM 양산을 시작했으며, 이들 업체를 제외하고 30nm급 DRAM을 생산하는 업체는 등장하지 않고 있어 엘피다의 이번 발표가 미칠 영향은 커 보이며, 삼성전자와 하이닉스는 20nm급 DRAM 개발 발표를 원래보다 조금 더 앞당길 가능성이 높을 것으로 예상되고 있다.
이번 엘피다 메모리의 25nm 급 DRAM 개발에 대해 삼성전자와 하이닉스 (Hynix) 등의 DRAM 제조사들과 업계 관계자들은 엘피다가 과거 40nm (40나노)와 30nm (30나노) DRAM (D램) 양산을 발표했으나 실제 양산에 들어가지 못했던 점을 고려해 7월의 양산 가능성이 높지 않다고 지적했다. 한편으로 엘피다의 25nm DRAM 양산이 가능해진다면 업계의 파급력은 클 수밖에 없고 삼성전자와 하이닉스 등도 일정에 부담을 갖게 될 것으로 전망되고 있다.
삼성전자는 20nm급 DRAM을 올해 안으로 생산할 계획을 갖고 있으며, 하이닉스는 올해 내로 20nm급 DRAM 개발을 완료할 것을 계획하고 있는 것으로 알려져 있다.
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