일본의 엘피다 (Elpida) 메모리가 25nm 공정을 적용한 DRAM 칩의 출하를 시작했다는 소식이다.
일본의 엘피다 (Elpida) 메모리는 지난 5월 25nm DRAM 개발이 완료된 이후 제품 생산을 시작해 2011년 8월 1일부터 출하하기 시작했다고 tcmagazine은 전했다.
엘피다의 25nm 공정이 적용되는 DRAM은 2Gbit DDR3 SDRAM인 EDJ2104BFSE (4bit)와 EDJ2108BFSE (8bit) 칩으로 1866MHz의 동작클럭, 동작전압은 저전력 1.35V (1600MHz)에서 1.5V (1866MHz) 사이다.
엘피다는 자사의 2Gb 25nm DRAM 칩이 현재의 30nm DRAM과 비교해 소비전류는 동작시 15% 적고 대기시에는 20%가 감소되었다고 밝혔다.
25nm DRAM 칩은 PC와 서버 등에 활용 가능하며, 이후 모바일 장치들을 위한 모바일 RAM (Mobile RAM)에도 25nm 공정을 적용할 계획인 것으로 알려져 있다.
엘피다의 25nm 2Gb DRAM은 기존더 개선된 어드레스와 고용량 구성이 가능하며, 올해 말 이전에는 25nm 기반의 4Gb DRAM도 출시한다는 계획이다.
엘피다는 지난 5월 7월 즈음 양산 계획을 밝혔는데 이의 일정에 맞춘 것으로 보여진다. 그러나, 아직 수율 등에 대한 부분은 언급되지 않은 만큼 수율의 안정화 문제 등 더 지켜봐야할 것이지만, 25nm DRAM의 출하는 경쟁사들에게 영향을 줄 것으로 예상된다.
삼성전자는 지난 5월 20nm급 (20나노) 낸드플래시 (NAND Flash) 양산에 들어간 것으로 알려져 있으며, 20nm급 DRAM을 올해 안으로 생산할 계획을 갖고 있다. 하이닉스는 올해 내로 20nm급 DRAM 개발을 완료할 것을 계획하고 있는 것으로 알려져 있다.
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