삼성전자가 '3D-TSV(Through Silicon Via, 실리콘 관통전극)' 기술을 적용한 D램 모듈을 개발했다.
삼성전자는 17일 보도자료를 통해 업계 처음으로 3D-TSV 기술을 적용한 초고속 엔터프라이즈 서버용 32GB(기가바이트) D램 모듈을 개발했다고 밝혔다.
3D-TSV 기술은 수십 ㎛(마이크로미터) 두께로 얇게 만든 실리콘칩에 직접 구멍을 뚫고, 동일한 칩을 수직으로 쌓아 관통전극으로 연결한 최첨단 반도체 패키징 기법으로, 속도와 용량 등 반도체 성능을 한층 향상시킬 수 있다.
삼성전자는 작년에 40나노급 2Gb(기가비트) DDR3 D램을 3D-TSV 기술로 적층한 8GB DDR3 RDIMM 제품을 개발한 데 이어, 이번에 30나노급 4Gb DDR3 D램 기반의 3D-TSV 32GB RDIMM을 개발하여 서버 고객 및 CPU 업체에 제공하기 시작했다고 설명했다.
삼성전자에 따르면 기존 32GB RDIMM 제품은 800Mbps로 동작하는데 비해 이번 3D-TSV 32GB RDIMM 제품은 기존 대비 67% 빠른 1333Mbps의 고속 동작을 구현할 수 있다. 또한 소비전력도 대용량 서버에 사용되는 30나노급 32GB LRDIMM보다 30% 이상 절감한 시간당 4.5W로 현재까지 출시된 엔터프라이즈 서버용 D램 모듈 가운데 가장 낮은 수준이라고 한다.
삼성전자 DS사업총괄 메모리사업부 홍완훈 부사장은 "32GB TSV 서버 모듈 제품은 차세대 대용량 서버가 요구하고 있는 고성능·저전력 특성을 확보했다"며 "향후 더욱 성능을 높인 대용량 메모리 공급으로 프리미엄 그린메모리 시장을 지속 확대시켜 나갈 것"이라고 밝혔다.
삼성전자는 금년부터 기존 서버 고객은 물론 CPU, 컨트롤러 업체들과의 협력을 강화하고 대용량 3D-TSV 서버 모듈 제품의 시장 기반을 확고히 할 예정이며, 내년에는 20나노급 D램을 기반으로 한32GB 이상 대용량 서버용 메모리 시장을 적극 확대해 나갈 계획이라고 덧붙였다.
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