삼성전자가 세계 최초로 20나노급 D램 양산을 시작했다.
삼성전자는 22일 보도자료를 통해 세계 최초로 20나노급 2Gb D램 양산을 이 달부터 시작했다고 밝혔다.
20나노급 D램 양산 시작으로 시장 경쟁력 확보
20나노급 DDR3 D램은 삼성전자가 지난 해 7월 선보인 30나노급 DDR3 D램과 동등한 성능을 구현하면서도 생산성은 약 50% 높이고 소비 전력은 40% 이상 줄인 그린 메모리 제품이다.
특히 기존 30나노급 제품대비 50% 생산성이 향상되었다는 것은 포화 상태에 있는 D램 시장에서 경쟁 업체보다 수익 경쟁력을 높일 수 있다는 점에서 주목할만 하다.
얼마 전 일본 메모리 업체 엘피다는D램 시장 악화로 30나노 공정 전환 추진 및 대만으로의 제조 시설 이전을 검토하고 있다고 밝혔는데, 삼성전자가 20나노급 제품 양산에 들어가면 엘피다를 비롯한 40나노급 이하의 공정을 주력으로 하는 업체들은 수익 개선이 어려워진다.
삼성전자는 올해 말에 20나노급 4Gb DDR3 D램 기반의 대용량 제품을 개발해 내년 이후에는 4GB, 8GB, 16Gb, 32GB 등 다양한 제품군을 본격적으로 양산할 계획이라고 설명했다.
또한 앞으로 엔터프라이즈 서버 시장을 시작으로 범용 노트북 시장까지 그린 메모리의 비중을 지속적으로 확대해 나갈 예정이라고 언급했다.
세계 최대 규모 낸드 플래시 반도체 메모리 16라인도 가동
삼성전자는 낸드 플래시메모리 생산 확대를 위해서 세계 최대 규모의 메모리 반도체 생산라인인 16라인의 본격 가동에 들어갔다.
이번에 가동을 시작한 메모리 16라인은 삼성전자가 지난 해 5월에 착공해 1년 3개월 만에 완성한 것으로 라인면적(Fab) 약 6만평 규모의 12층 건물로 낸드를 주력으로 양산하는 세계 최대 규모의 메모리 생산라인이다.
메모리 16라인은 올해 2월 건물을 완공하고 5월 클린룸 공사를 마쳤으며 6월부터 시범 가동에 들어가 8월에 양산 체제를 갖춘 것으로 알려졌다.
삼성전자는 이 달부터 20나노급 고속 낸드 플래시를 12인치 웨이퍼로 월 1만매 이상 생산하며 본격 양산을 시작했으며, 빠르게 늘어나는 낸드 플래시 수요에 맞춰 올해 말까지 12인치 웨이퍼 생산 규모를 늘려 나가고 내년에는 10나노급 대용량 고속 메모리도 양산할 계획이라고 설명했다.
한편, 삼성전자는 22일 나노시티 화성캠퍼스에서 '메모리 16라인 가동식 및 20나노 D램·플래시 양산' 행사를 개최할 예정이다.
이 행사에는 이건희 삼성전자 회장과 권오현 DS사업총괄 사장, 이재용 사장 등 주요 경영진과 소니 나카가와 유타카 부회장을 비롯한 글로벌 IT 업체 관계자 등 500여명이 참석한다.
마이크로소프트 스티브 발머 CEO, HTC 셰어 왕 회장, DELL 제프 클라크 부회장, 레노보 양위엔칭 CEO, IBM 프랜 오 설리반 부사장 등은 영상 메시지를 보내 삼성전자가 낸드 플래시를 주력으로 양산하는 세계 최대 규모의 메모리 16라인을 가동하는 한편, 업계에서 처음으로 20나노급 D램을 양산하게 된 것을 축하한다.
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