삼성전자가 세계 최초로 비정질 유리기판 위에 GaN(질화갈륨) LED를 구현했다고 발표했다.
삼성전자 종합기술원은 10일 보도자료를 통해 세계 최초로 비정질 유리기판 위에 단결정 수준의 GaN(질화갈륨, Gallium Nitride)을 성장시키고 이를 이용하여 유리기판 상에 GaN LED를 구현하는데 성공했다고 발표했다.
삼성전자에 따르면 유리기판은 큰 면적으로 만들기 쉽고 가격도 저렴하지만 비정질로 되어 있어 이제까지 단결정 GaN LED는 사파이어와 같은 단결정 기판 위에 결정체의 층을 성장시키는 에피택셜 성장법으로만 구현해왔으나, 삼성전자는 GaN과 결정 특성 및 구조가 유사한 티타늄 박막을 유리기판 위에 도입함으로써 GaN LED 구현 가능성을 증명했다.
삼성전자는 티타늄과 저온 GaN의 2중 박막을 유리기판 위에 증착하여 저온 GaN 박막을 다결정 구조가 되게 하고, 그 위에 SiO2 hole 마스크를 형성해 유리기판에 단결정 수준의 GaN을 미세한 피라미드 형태로 성장시켜 GaN LED를 구현한 것으로 알려졌다.
이번 연구결과는 국제 학술지인 '네이처 포토닉스(Nature Photonics)' 인터넷판(10일자)에 게재됐으며, 삼성전자는 이번 구현을 통해 향후 GaN LED가 멀티 광원을 활용한 대형 사이즈의 조명과 디스플레이용 컬러표시소자 등 옵토 일렉트로닉스 분야에 확대 적용되는데 기반이 될 것으로 전망했다.
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