HP (Hewlett-Packard)와 하이닉스 (Hynix)는 멤리스터 (Memristor) 기반 ReRAM (Resistive Random Access Memory) 제품을 18개월 후인 2013년 여름 즈음 공개할 계획을 갖고 있다고 xbitlabs는 전했다.
멤리스터 기반 메모리는 SSD나 USB 메모리 등에 사용되는 플래시 (Flash) 메모리 등을 대체할 기술로 알려져 있다.
멤리스터는 메모리 레지스터 (Memory Resistor)의 약자로 동작에는 적은 에너지가 필요하고 전원이 차단되었을 때도 차단 이전의 전류 방향과 양을 기억해 전원이 다시 공급되면 정보가 복원되며, 현재의 SSD 저장장치 기술보다 빠를 것으로 예상된다. 1971년 UC Berkeley의 Leon Chua 교수에 의해 제안된 이후 2006년 HP Labs의 연구자들은 이의 연구를 진행해왔으며, 2008년 첫 프로토타입 멤리스터 메모리 개발에 성공했다.
멤리스터기반 ReRAM은 전원이 공급되지 않을 때도 데이터를 기억하기 때문에 기존 메모리 분야에 적용될 경우 다양한 활용이 가능할 것으로 전망된다. 스마트폰과 태블릿, MP3 플레이어 등에 사용되는 플래시 메모리를 대체할 잠재력을 갖추고 있으며, 플래시뿐만 아니라 DRAM 또는 HDD도 대체가 가능할 것으로 예상된다.
HP는 공정 기술과 세부적인 내용을 공개하지 않았으며, 메모리 용량 또는 메모리 물질 효율 등의 구체적인 부분은 하이닉스와 협력할 것으로 알려져 있다.
HP Labs의 Stan Williams는 멤리스터 첫 상업 메모리는 다중 레이어 장치가 될 것으로 전망했으며, 하이닉스는 풀사이즈 fab을 통해 수백개의 웨이퍼를 시험하고 있다고 밝혔다.
멤리스터기반 ReRAM은 DRAM 시장에 등장해 SRAM과 경쟁할 것으로 예상된다.
삼성전자 역시 최근 마이크론 (Micron)과 협력을 통해 하이브리드 메모리 큐브(HMC) 기술 개발을 통해 DRAM을 대체할 계획을 갖고 있어 그 어느때보다 메모리 신기술 경쟁이 빠르게 이루어지고 있다. HMC는 DDR3보다 전력효율은 7배, 모듈 성능은 15배 향상될 것으로 예상되며, 2015년 양산에 들어갈 것으로 예상된다.
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