삼성전자와 하이닉스가 30nm 양산에 본격적으로 뛰어들 것으로 예상되는 가운데 대만 DRAM 제조사들은 이로 인한 가격압박과 제조 공정 이전에 고민하고 있다.
digitmes는 현물 시장의 2Gb DDR3는 1달러 ($1) 이하로 하락되었으며, 대만 DRAM 제조사들은 이 가격의 하락보다 삼성전자와 하이닉스 (Hynix)의 30nm 공정 기반 대량생산 소식에 더 걱정하고 있다고 전했다.
30nm 공정으로 전환될 경우 2Gb DDR3는 0.65달러 ($0.65)로 하락될 것으로 예상되기 때문에 공정 이전이 늦어지고 있는 대만 DRAM 제조사들은 가격압박을 더 받을 것으로 예상된다.
삼성전자와 하이닉스는 30nm 시험 생산을 끝내고 2011년 말 또는 2012년 상반기부터 본격적으로 양산을 시작할 것으로 알려져 있다.
앞으로 다가올 가격 경쟁에 대해 대만 Rexchip Electronics는 12인치 fab의 DRAM 제조공정을 45nm로 업그레이드 했으며, 30nm 기술 적용을 시도하고 있다. 이를 통해 2011년 말 30nm 공정의 12인치 웨이퍼를 매달 8만개 씩 생산할 수 있을 것으로 전망했다.
Inotera Memories와 다른 제조사들은 지난 9월 42mn 공정으로 업그레이드를 끝마쳤고 30nm 시험 생산을 시작했다. 30nm 4Gb DDR3 양산은 2012년 시작될 것으로 예상된다고 밝혔다.
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